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성장기판 상에 형성된 발광다이오드를 준비하는 단계;상기 발광다이오드를 유연기판에 접합하는 단계;상기 유연기판에 접합된 발광다이오드에 기계적 변형을 가하는 단계를 포함하는, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하는 단계를 추가로 포함하며,상기 성장기판을 분리하는 단계는 상기 발광다이오드를 유연기판에 접합하기 이전 또는 접합한 이후에 수행하는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 발광다이오드를 유연기판에 접합하기 이전에 수행되는 성장기판 분리는,지지기판을 상기 발광다이오드에 접착시킨 후 상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하여 수행되는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 발광다이오드를 유연기판에 접합한 이후에 수행되는 성장기판 분리는,상기 발광다이오드가 상기 유연기판에 접합한 이후에 레이저 리프트오프 공정에 의하여 상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하여 수행되는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 지지기판을 상기 발광다이오드에 접착시키는 것은 상기 발광다이오드의 상부에 접착물질층을 형성하여 수행하는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 성장기판은 사파이어, 실리콘 탄화물, 아연 산화물, 갈륨 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 이붕소화물, 갈륨 비소, 및 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 발광다이오드는 수평형 발광다이오드, 수직형 발광다이오드, 플립칩 구조 발광다이오드, 무기 발광다이오드, 및 유기 발광다이오드로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하는 단계는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO), 화학적 리프트 오프(Chemical Lift-Off; CLO), 화학적 식각, 기계적 연마 또는 화학적 기계적 연마 공정에 의하는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 분리된 발광다이오드를 유연기판에 접합하는 것은 용융 접합(fusion bonding), 양극 접합(anodic bonding), 또는 공융 접합(eutectic bonding)에 의하여 수행되는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 유연기판은 플라스틱 기판, 유리 박막, 또는 금속 박막인 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 유연기판에 접합된 발광다이오드에 기계적 변형을 가하는 단계는, 외부에서 스트레인(strain), 힘(force) 또는 압력(pressure)을 가해줌으로써 발광다이오드 내부의 활성층의 에너지 밴드 구조를 변화시키는 방법에 의하는 것인, 유연기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
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