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대면적 방전 스캔 장치 및 이를 이용한 패턴의 형성방법(Discharge scan apparatus for large area and method for fabrication of pattern using the same)

  • 기술번호 : KST2016009419
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 방전 가공을 수행하기 위한 사각형 면을 갖는 단자를 포함하는 스캔부; 접지된 상태인 방전판; 및 상기 스캔부 및 방전판에 0.03 kW 내지 1.0 kW의 출력을 가하기 위한 출력부;를 포함하는 대면적 방전 스캔 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 대면적 방전 스캔 장치는 대면적에 균일하게 방전 가공을 수행하여 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 대면적 방전 스캔 장치를 사용한 패턴의 형성방법은 일반적인 패턴, 계층 구조 패턴, 구배를 가지는 패턴 등을 형성할 수 있다. 이는 금속 와이어를 이용하여 실험실 단위에서 표면 구조를 형성하는 종래 기술보다 산업상 이용 가능한 진보된 방법이다.
Int. CL B23H 1/04 (2006.01) B23H 7/26 (2006.01) B23H 9/00 (2006.01) B23H 7/22 (2006.01)
CPC B23H 1/04(2013.01) B23H 1/04(2013.01) B23H 1/04(2013.01) B23H 1/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140144001 (2014.10.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1693286-0000 (2016.12.30)
공개번호/일자 10-2016-0048248 (2016.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20170106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김필남 대한민국 대전광역시 유성구
2 신현재 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1013468-57
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-1106404-05
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0050684-89
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0863301-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0133108-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0133136-31
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0374638-26
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0718606-09
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0718605-53
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0760636-34
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1147415-71
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1147414-25
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-1217900-89
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0923427-22
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방전 가공을 수행하기 위한 사각형 면을 갖는 단자를 포함하는 스캔부;접지된 상태인 방전판; 및상기 스캔부 및 방전판에 0
2 2
제1항에 있어서,상기 방전 스캔 장치는 상기 스캔부와 방전판의 전위차를 조절하기 위한 장치 전원부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 방전 스캔 장치는 상기 방전판의 스캔 속도 또는 왕복 횟수를 조절하는 장치 컨트롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 단자는 알루미늄 금속 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 방전판은 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 방전 스캔 장치는 상기 방전판의 양 말단에 방전판의 위치를 감지하는 위치 감지 센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
9 9
제1항에 있어서,상기 단계 1의 기판은 폴리디메틸실록세인(PDMS), 폴리우레탄 계열 고분자 및 에폭시 계열 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 재질인 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제1항에 있어서,상기 나노 크기의 구조물 패턴은 주름(wrinkles) 구조 또는 접힘(folding) 구조인 것을 특징으로 하는 계층 구조 패턴의 형성방법
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 기초연구사업_학문후속세대양성사업_대통령 Post-Doc.펠로우십 연성물질의 자발적 패턴형성을 통한 스마트 태양전지 개발