맞춤기술찾기

이전대상기술

패턴의 형성방법 및 이를 통해 제조된 메타물질(Method of forming pattern and the metamaterial thereby)

  • 기술번호 : KST2016009420
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴이 형성된 제1 고분자 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 준비된 제1 고분자 기판의 패턴을 제2 고분자로 채운 후, 상기 제2 고분자를 반경화시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 반경화된 제2 고분자를 포함하는 제1 고분자 기판을 패턴을 가지는 표면에 박막을 형성한 후, 주름(wrinkles) 또는 접힘(folding) 구조를 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 패턴의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 패턴의 형성방법은 패턴을 형성하고자 하는 부분에 경도의 차이를 발생시켜 주름 구조 또는 접힘 구조를 포함하는 패턴의 위치 조절을 가능하게 한다. 이와 같이, 패턴의 위치 조절이 가능함으로써 정밀한 얼라인이 필요한 패턴 구조 제작, 3 차원 금속 패턴 제작, 마이크로/나노 구조 제작, 자극 감응형 디바이스 제작, 유연 소자 개발 등의 분야에 활용되는 기술로 응용될 수 있다.
Int. CL B29C 59/18 (2006.01)
CPC B29C 59/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140143998 (2014.10.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0048246 (2016.05.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.23)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김필남 대한민국 대전광역시 유성구
2 최예묵 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1013432-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0063085-44
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0150843-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0400986-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0401029-18
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0623266-19
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0894622-13
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0894646-08
13 등록결정서
Decision to grant
2017.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0222890-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴이 형성된 제1 고분자 기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 준비된 제1 고분자 기판의 패턴을 제2 고분자로 채운 후, 상기 제2 고분자를 반경화시키는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 반경화된 제2 고분자 표면에 박막을 형성한 후, 주름(wrinkles) 또는 접힘(folding) 구조를 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 패턴의 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 1의 제1 고분자 기판은 폴리디메틸실록세인(PDMS), 폴리우레탄 계열 고분자 및 에폭시 계열 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 고분자로 이루어진 기판인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 단계 2에서 제1 고분자 기판의 패턴을 제2 고분자로 채우는 방법은,제1 고분자 기판에 플라즈마를 조사하는 단계(단계 a); 및상기 단계 a에서 플라즈마가 조사된 제1 고분자 기판의 패턴이 형성된 표면에 웨이퍼를 덮은 후, 상기 제1 고분자 기판 측면부에 상기 제1 고분자 기판의 패턴과 상기 웨이퍼에 의하여 형성된 공간으로 제2 고분자를 주입하여 상기 제1 고분자 기판의 패턴을 제2 고분자로 채우는 단계(단계 b);를 포함하는 방법인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
4 4
제3항에 있어서,상기 단계 b에서 제2 고분자는 모세관력(capillary force)에 의해서 제1 고분자 기판의 패턴에 채워지는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 고분자는 열 경화성 고분자 또는 광 경화성 고분자인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
6 6
제5항에 있어서,상기 광 경화성 고분자는 사슬의 양 말단 또는 사슬의 측쇄에 광 중합이 가능한 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 에폭시기 및 광경화가 가능한 유기 관능기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 관능기를 포함하는 유기 고분자인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
7 7
제1항에 있어서,상기 단계 2에서 반경화는 50 ℃ 내지 80 ℃의 온도에서 5 분 내지 60 분 동안 가열시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 단계 3에서 표면에 박막을 형성한 후, 주름(wrinkles) 또는 접힘(folding) 구조를 형성하는 단계는,반경화된 제2 고분자를 포함하는 제1 고분자 기판을 패턴을 가지는 표면 기준 횡 방향으로 인장시키고, 표면에 박막을 형성한 후, 인장력을 해제하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
9 9
제1항에 있어서,상기 단계 3에서 표면에 박막을 형성한 후, 주름(wrinkles) 또는 접힘(folding) 구조를 형성하는 단계는,반경화된 제2 고분자를 포함하는 제1 고분자 기판을 패턴을 가지는 표면에 박막을 형성한 후, 제1 고분자 기판 횡 방향에서 압축 응력을 가하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
10 10
제1항에 있어서,상기 단계 3에서 박막을 형성하는 방법은 자외선(UV) 또는 자외선/오존(UV/Ozone, UVO)을 포함하는 광을 조사하는 방법인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
11 11
제10항에 있어서,상기 자외선/오존을 조사하는 세기는 0
12 12
제10항에 있어서,상기 자외선/오존을 조사하는 시간은 5 분 내지 200 분인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
13 13
제8항에 있어서,상기 횡 방향으로 인장되는 길이는 제1 고분자 기판 길이에 대하여 1
14 14
제9항에 있어서,상기 압축 응력의 세기는 응력에 따른 고분자의 변형 정도에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
15 15
삭제
16 16
패턴이 형성된 제1 고분자 기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 준비된 제1 고분자 기판의 패턴을 제2 고분자로 채운 후, 상기 제2 고분자를 반경화시키는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 반경화된 제2 고분자를 포함하는 제1 고분자 기판을 패턴 표면 기준 횡 방향으로 인장시켜 표면에 박막을 형성하고 상기 박막 상부에 금속 패턴을 위치시킨 후, 인장력을 해제하여 주름(wrinkles) 또는 접힘(folding) 구조를 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 주름 또는 접힘 구조를 포함하는 메타물질(metamaterial)의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 단계 3의 금속 패턴은 고분자 박막에 형성된 것을 특징으로 하는 주름 또는 접힘 구조를 포함하는 메타물질의 제조방법
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 기초연구사업 연성물질의 자발적 패턴형성을 통한 스마트 태양전지 개발