맞춤기술찾기

이전대상기술

전력 반도체 소자를 구동하는 회로 및 방법(CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016009516
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전력 반도체 소자의 구동 회로 및 전력 반도체 소자의 구동 방법이 제공된다. 전력 반도체 소자의 구동 회로는 전력 반도체 소자를 구비하고, 상기 전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 무선으로 수신하는 계통 회로; 및 상기 구동 신호를 생성하여 상기 계통 회로에 무선으로 송신하는 제어 회로를 포함한다. 전력 반도체 소자의 구동 방법은 전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 무선으로 수신하고, 상기 구동 신호를 이용하여 상기 전력 반도체 소자를 턴온(turn-on)시키는 것을 포함한다.
Int. CL H02M 1/08 (2006.01) G05D 1/02 (2006.01) H02M 7/64 (2006.01) H03K 5/24 (2006.01)
CPC H02M 1/082(2013.01) H02M 1/082(2013.01) H02M 1/082(2013.01) H02M 1/082(2013.01) H02M 1/082(2013.01)
출원번호/일자 1020140137883 (2014.10.13)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0043459 (2016.04.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.13)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고태국 대한민국 서울특별시 양천구
2 이우승 대한민국 경기도 부천시 원미구
3 이지호 대한민국 경기도 구리시
4 박영건 대한민국 서울특별시 서대문구
5 김형준 대한민국 전라북도 전주시 완산구
6 남석호 대한민국 충청북도 음성군
7 김진섭 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0973577-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.06.24 수리 (Accepted) 9-1-2015-0042152-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0128293-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0331275-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0331285-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0611942-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전력 반도체 소자를 구비하고, 상기 전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 무선으로 수신하는 계통 회로; 및상기 구동 신호를 생성하여 상기 계통 회로에 무선으로 송신하는 제어 회로를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 계통 회로는 무선으로 수신된 상기 구동 신호를 이용하여 상기 전력 반도체 소자를 턴온(turn-on)시키는 전력 반도체 소자의 구동 회로
3 3
제1항에 있어서,상기 계통 회로와 상기 제어 회로는 전기적으로 절연된 전력 반도체 소자의 구동 회로
4 4
제1항에 있어서,상기 구동 신호는 RF(Radio Frequency) 신호를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
5 5
제1항에 있어서,상기 계통 회로는 상기 제어 회로로부터 무선으로 상기 구동 신호를 수신하기 위한 수신단을 포함하고,상기 제어 회로는 무선으로 상기 구동 신호를 상기 계통 회로에 송신하기 위한 송신단을 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
6 6
제5항에 있어서,상기 전력 반도체 소자는 제1 전력 반도체 소자 및 상기 제1 전력 반도체 소자와 다른 제2 전력 반도체 소자를 포함하고,상기 계통 회로는 상기 제어 회로로부터 무선으로 상기 제1 전력 반도체 소자를 구동하는 제1 구동 신호 및 상기 제2 전력 반도체 소자를 구동하는 제2 구동 신호를 각각 수신하는 제1 수신단 및 제2 수신단을 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
7 7
제6항에 있어서,상기 제어 회로는 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호 모두를 상기 송신단을 통해 상기 계통 회로에 송신하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 전력 반도체 소자는 상기 제1 구동 신호에 의해 턴온되고,상기 제2 전력 반도체 소자는 상기 제2 구동 신호에 의해 턴온되는 전력 반도체 소자의 구동 회로
9 9
제1항에 있어서,상기 전력 반도체 소자는 실리콘 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier, SCR) 또는 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
10 10
제1 주파수를 갖는 제1 RF(Radio Frequency) 신호에 의해 턴온(turn-on)되는 제1 전력 반도체 소자;상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수를 갖는 제2 RF 신호에 의해 턴온되는 제2 전력 반도체 소자; 및상기 제1 RF 신호 및 상기 제2 RF 신호를 상기 제1 전력 반도체 소자 및 상기 제2 전력 반도체 소자에 각각 송신하는 제어 회로를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 전력 반도체 소자 및 상기 제2 전력 반도체 소자와, 상기 제어 회로는 전기적으로 절연된 전력 반도체 소자의 구동 회로
12 12
제10항에 있어서,상기 제1 전력 반도체 소자 및 상기 제2 전력 반도체 소자는 실리콘 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier, SCR) 또는 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
13 13
제10항에 있어서,상기 제1 전력 반도체 소자는 상기 제1 전력 반도체 소자에 전기적으로 연결된 제1 수신 안테나를 이용하여 상기 제1 RF 신호를 수신하고,상기 제2 전력 반도체 소자는 상기 제2 전력 반도체 소자에 전기적으로 연결된 제2 수신 안테나를 이용하여 상기 제2 RF 신호를 수신하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
14 14
제13항에 있어서,상기 제어 회로는 하나의 송신 안테나를 이용하여 상기 제1 RF 신호 및 상기 제2 RF 신호를 송신하는 전력 반도체 소자의 구동 회로
15 15
전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 무선으로 수신하고,상기 구동 신호를 이용하여 상기 전력 반도체 소자를 턴온(turn-on)시키는 것을 포함하는 전력 반도체 소자 구동 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 무선으로 수신하는 것은,상기 전력 반도체 소자를 구동하는 구동 신호를 RF(Radio Frequency) 신호로서 수신하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자 구동 방법
17 17
제15항에 있어서,상기 구동 신호를 이용하여 상기 전력 반도체 소자를 턴온시키는 것은,상기 구동 신호로부터 상기 전력 반도체 소자를 턴온시키기 위한 턴온 펄스(turn-on pulse)를 생성하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자 구동 방법
18 18
제1 전력 반도체 소자를 구동하는 제1 구동 신호 및 제2 전력 반도체 소자를 구동하는 상기 제1 구동 신호와 다른 제2 구동 신호를 무선으로 수신하고,상기 제1 구동 신호로부터 상기 제1 전력 반도체 소자에 대한 제1 턴온 펄스(turn-on pulse)를 생성하고,상기 제2 구동 신호로부터 상기 제2 전력 반도체 소자에 대한 제2 턴온 펄스를 생성하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 제1 턴온 펄스를 이용하여 상기 제1 전력 반도체 소자를 턴온(turn-on)시키고,상기 제2 턴온 펄스를 이용하여 상기 제2 전력 반도체 소자를 턴온시키는 것을 더 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 방법
20 20
제18항에 있어서,상기 제1 구동 신호는 제1 주파수를 갖는 제1 RF(Radio Frequency) 신호를 포함하고,상기 제2 구동 신호는 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수를 갖는 제2 RF 신호를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016060317 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016060317 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 에너지기술개발사업 6.6 kV급 단상 스마트 초전도 사고전류 제어기 개발