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표면에 마이크로 구조물을 형성하고, 상기 마이크로 구조물 상에 나노 구조물을 형성하여 친수성 기재를 마련하는 단계,친수성 기재의 표면에 소수성 유기물질을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계, 및 상기 기재에서 소수성 유기물질이 코팅된 면의 특정 영역에 자외선을 조사하여 오존 분해에 의해 상기 코팅층의 일부를 제거하여 친수성 영역을 형성하는 단계를 포함하며,상기 기재에서 소수성 유기물질이 코팅된 면의 특정 영역에 자외선을 조사하여 오존 분해에 의해 상기 코팅층의 일부를 제거하여 친수성 영역을 형성하는 단계에서,상기 기재는 밀폐된 챔버 내에 위치시키고, 상기 챔버 내에 산소 또는 오존 중 하나 이상을 포함한 반응 가스를 주입하며,자외선이 조사되는 부분과 상기 코팅층까지의 거리는 100 mm이내로 유지하는 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 기재에서 소수성 유기물질이 코팅된 면의 특정 영역에 자외선을 조사하여 오존 분해에 의해 상기 코팅층의 일부를 제거하여 친수성 영역을 형성하는 단계에서,상기 자외선은 두 영역 이상의 파장인 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 자외선은 180 nm 내지 200 nm 및 240 nm 내지 260 nm 영역의 파장을 포함하는 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 친수성 기재의 표면에 소수성 유기물질을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계에서,상기 코팅층의 두께는 0
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제6항에 있어서,상기 소수성 유기물질은,올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 1-데칸티올(1-decanethiol), 1-언데칸티올 (1-undecanethiol), 1- 도데케인티올(1-dodecanethiol), 1-테트라데칸티올(1-tetradecanethiol), 1-펜타데칸티올(1-pentadecanethiol), 1-헥사데칸티올(1-hexadecanethiol), 1-옥타데칸티올(1-octadecanethiol), 헥사데실트리클로로 실란(hexadecyltrichlorosilane), n-옥타데실트리에톡시실란(n-octadecyltriethoxysilane), n-옥타데실디메틸클로로실란(n-octadecyldimethylchlorosilane), n-옥타데실메톡시디클로로실란(n-octadecylmethoxydichlorosilane), 헥사데실트리메톡시실란 (hexadecyltrimethoxysilane), 트리아콘틸디메틸클로로실란 (triacontyldimethylchlorosilane), 트리아콘틸드리클로로실란 (triacontyltrichlorosilane) 중 선택된 어느 하나의 지방족 탄화수소(aliphatic hydrocarbon)를 포함하는 화합물인 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 소수성 유기물질은,1H, 1H, 2H, 2H-퍼플루오로데칸티올(perfluorodecanethiol), 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란(hepta decafluorodecyl trimethoxysilane), 트리데카플루오로 트리클로로 실란(tridecafluoro - 1, 1, 2, 2 - tetrahydrooctyl trichlorosilane), 트리데카플루오로-1 ,2, 2, 2-테트라하드로옥틸트리에톡시실란(tridecafluoro -1, 1, 2, 2 - tetrahydrooctyl triethoxysilane), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE: polytetrafluoroethylene), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA: perfluoroalkoxy alkanes), 불소화에틸렌프로필렌 (FEP: fluorinated ethylene propylene) 중에서 선택된 어느 하나의 불화 탄화수소(fluorinated hydrocarbon)를 포함하는 화합물인 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 기재에서 소수성 유기물질이 코팅된 면의 특정 영역에 자외선을 조사하여 오존 분해에 의해 상기 코팅층의 일부를 제거하여 친수성 영역을 형성하는 단계에서,자외선이 기재에 조사되는 시간은 10분 내지 10시간인 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 기재에서 소수성 유기물질이 코팅된 면의 특정 영역에 자외선을 조사하여 오존 분해에 의해 상기 코팅층의 일부를 제거하여 친수성 영역을 형성하는 단계 이후에는,세정 용액으로 코팅층의 일부가 제거된 기재를 세정하는 단계를 포함하는 친수성 및 소수성 패턴 형성 방법
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