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새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체 및 이의 제조방법(Topological insulator formed new surface electronic state and the preparation method thereof)

  • 기술번호 : KST2016009543
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 3차원 위상 부도체(3D topological insulator) 위에 단분자 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체, 및 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상과 비스무스(Bi)를 가열하고 냉각시켜 합금을 제조하는 단계; 및 상기 합금 위에 단분자 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 17/56 (2006.01) H01L 35/18 (2006.01) H01B 3/02 (2006.01) H01B 17/60 (2006.01) H01B 5/10 (2006.01)
CPC H01B 17/56(2013.01) H01B 17/56(2013.01) H01B 17/56(2013.01) H01B 17/56(2013.01) H01B 17/56(2013.01)
출원번호/일자 1020140141730 (2014.10.20)
출원인 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0046159 (2016.04.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 보정승인
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염한웅 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성환 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0997644-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0023232-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0416167-08
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0764660-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0839012-48
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0839011-03
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0040388-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0168215-94
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.02.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0168214-48
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0163165-84
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
3차원 위상 부도체(3D topological insulator) 위에 단분자 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체
2 2
제1항에 있어서,상기 3차원 위상 부도체는 Bi2Te2Se, Bi2Se3 및 Bi2Te3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 위상 부도체
3 3
제1항에 있어서,상기 금속층은 비스무스(Bi) 또는 안티모니(Sb)인 것을 특징으로 하는 위상 부도체
4 4
텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상과 비스무스(Bi)를 가열하고 냉각시켜 합금을 제조하는 단계; 및상기 합금 위에 단분자 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 가열은 800 ~ 1100 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 위상 부도체의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 냉각은 550 ~ 650 ℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 위상 부도체의 제조방법
7 7
제4항에 있어서,상기 금속층은 비스무스(Bi) 또는 안티모니(Sb)인 것을 특징으로 하는 위상 부도체의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 단분자 금속층은 초고진공상태에서 금속을 증발(evaporation)시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 부도체의 제조방법
9 9
텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상과 비스무스(Bi)를 가열하고 냉각시켜 단결정 합금을 제조하는 단계; 상기 제조된 단결정 합금의 표면을 초고진공 하에서 벽개시키는 단계; 및상기 벽개된 단결정 합금 표면에 단분자 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 초고진공은 1×10-11 ~ 5×10-10 Torr인 것을 특징으로 하는 위상 부도체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160111643 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016111643 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.