맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화주석과 아연으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법 및 그에 의한 투명전극(Fabricating method of transparent electrode using multilayered thin film consist of SnO2 and Zn and transparent electrode the same)

  • 기술번호 : KST2016009595
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법 및 그에 의한 투명전극에 관한 것으로서, 금속과 TCO(Transparent Conducting Oxide)가 순차적으로 적층되어 이루어지는 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법에 있어서, 쿼츠(Quartz) 기판 위에서 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 일정두께의 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)을 적층하여 제조하되, 상기 아연(Zn)은 5∼50㎚의 두께로 적층하고 적층 후에 350∼500℃의 온도에서 1∼8시간 동안 열처리하여 이루어지며, 열처리 후 가시광선의 영역에서 광 투과율에 있어 85% 이상의 고 투과성을 나타내며, 아연(Zn) 두께의 증가에 따라 비저항이 감소하고, 특히 특정두께의 아연(Zn)에서 p-형 전도형태를 보이는 효과가 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) G06F 3/041 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01) B32B 15/04 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01)
CPC H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020140140855 (2014.10.17)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0045389 (2016.04.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.17)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 구본흔 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김성재 대한민국 경상북도 성주군
3 박근영 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0991821-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0023197-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0412307-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0767020-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0767021-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0923984-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속과 TCO(Transparent Conducting Oxide)가 순차적으로 적층되어 이루어지는 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법에 있어서,쿼츠(Quartz) 기판 위에서 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 일정두께의 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)을 적층하여 제조하되, 상기 아연(Zn)은 5∼50㎚의 두께로 적층하고 적층 후에 350∼500℃의 온도에서 1∼8시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 아연(Zn)은 5∼10㎚의 두께로 적층하고 적층 후에 450℃의 온도에서 1시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 투명전극은 p-형의 전도형태를 보이는 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 다층구조 박막은 SnO2/Zn 또는 Zn/SnO2/Zn의 형태로 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 투명전극은 광 투과도에 있어 85% 이상의 고투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 스퍼터링(Sputtering)법은 RF(Radio Frequency) 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 산화주석(SnO2)과 아연(Zn)으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법
7 7
제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항의 다층구조 박막에 의해 만들어진 투명전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 창원대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 차세대 전자 디바이스용 산화물기반 투명전극 개발
2 미래창조과학부 한국해양대학교 산학협력단 대학ICT연구센터 육성지원사업 LED-해양수산조선산업 융합을 통한 Green IT 기술개발