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기판 상부에 음극층을 형성하는 단계 (단계 1); 금속산화물 반도체 나노입자와 금속산화물 반도체 나노로드를 포함하는 전자 전달층을 형성하는 단계(단계 2);광활성층을 형성하는 단계 (단계 3);정공 전달층을 형성하는 단계 (단계 4); 및 양극층을 형성하는 단계 (단계 5);를 포함하고,상기 단계 2의 전자 전달층은 금속산화물 반도체 나노입자를 제조하는 단계 (단계 a);금속산화물 반도체 나노로드를 제조하는 단계 (단계 b); 금속산화물 반도체 산화물 이원(binary) 혼합용액을 제조하는 단계 (단계 c); 및음극층 상부에 단계 c의 혼합용액을 코팅하는 단계 (단계 d)를 포함하는 공정으로 형성되고,상기 단계 c의 혼합용액의 용매는 클로로벤젠(chlorobenzene)과 이소프로필 알코올(isoproply alcohol, IPA)의 부피비가 1:1 내지 1:2 인 혼합 용매인 것을 특징으로 하는, 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속산화물은 아연(Zn), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 세슘(Cs) 및 인듐(In)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 금속을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 음극층은 ITO, AZO, IZO, GZO, ITO-Ag-ITO, ITO-Cu-ITO, AZO-Ag-AZO, GZO-Ag-GZO, IZO-Ag-IZO 및 IZTO-Ag-IZTO를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 광활성층은 [6,6]- phenyl-C60 butyric acid methyl ester(PCBM), poly(3-hexylthiophene(P3HT), poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene](MEH-PPV),poly[N-9"-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)] (PCDTBT), poly[2-methoxy-5-3(3,7-dimethyloctyloxy)-1-4-phenylene vinylene(MDMOPPV), poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)-carbonyl]-thieno-[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7), 및 [6,6]-phenyl-C70 butyric acid methyl ester (PC70BM)를 포함하는 군으로부터 선택되는 2종 이상을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 정공 전달층은 MoO3, CrOX , V2O5 및 NiO을 포함하는 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 양극층은 Ag, Ni 및 Au 을 포함하는 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 c의 혼합 용액은 나노입자와 나노로드의 무게비가 2:1 내지 1:2 인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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