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박막 태양전지의 제조 방법 및 모듈 구조(METHOD AND MODULE STRUCTURE FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLAR)

  • 기술번호 : KST2016009773
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 태양전지의 제조 방법은 투명 기판의 제1 면 상에 투명한 제1 후면전극을 증착하는 단계; 제1 후면전극 상에 고전도성 금속을 포함하는 제2 후면전극을 증착하는 단계; 제1 및 제2 후면전극의 이중층을 분리하기 위해 제1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계; 제2 후면전극 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 증착하는 단계; 광흡수층을 분리하기 위해 투명 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계; 광흡수층 상에 투명전극을 증착하는 단계; 및 투명전극을 분리하기 위해 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 기판입사 레이저 방식의 패터닝을 가능케 하여 패터닝 공정의 가격, 생산성, 정밀성을 향상시키므로, 태양전지의 경쟁력을 확보할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01)
출원번호/일자 1020140150130 (2014.10.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1688401-0000 (2016.12.15)
공개번호/일자 10-2016-0050929 (2016.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20161222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정증현 대한민국 서울특별시 성북구
2 김원목 대한민국 서울특별시 성북구
3 박종극 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1051002-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0044107-71
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0678012-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0133285-72
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0379072-10
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0483997-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0603362-90
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0603373-92
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0512752-27
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.08.16 수리 (Accepted) 7-1-2016-0048591-15
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0884048-25
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0884047-80
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0674594-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판의 제1 면 상에 투명한 제1 후면전극을 증착하는 단계;상기 제1 후면전극 상에 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 제2 후면전극을 증착하는 단계;상기 제1 및 제2 후면전극의 이중층을 분리하기 위해 제1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 제2 후면전극 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 증착하는 단계;상기 광흡수층을 분리하기 위해 상기 투명 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 광흡수층 상에 투명전극을 증착하는 단계; 및상기 투명전극을 분리하기 위해 상기 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계를 포함하고,상기 광흡수층은 구리(Cu) 및 은(Ag) 중 적어도 하나, 인듐(In), 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 주석(Sn) 중 적어도 하나, 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되고, 상기 제2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계 및 상기 제3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계는, 상기 제2 후면전극을 상기 제2 후면전극 상에 형성된 층들을 제거하기 위한 희생층으로 사용하는, 박막 태양전지의 제조 방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 후면전극은 가시광 또는 근적외선 대역에서 광흡수도가 20% 이하이고, 비저항이 1E-2 Ωcm 이하인 물질로 형성되는, 박막 태양전지의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 후면전극은 인듐의 산화물, 아연의 산화물, 주석의 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 투명전도산화물(TCO), TCO와 금속필름 또는 나노와이어층과 TCO로 구성된 다층구조 투명전극 및 그래핀, 카본나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 카본소재가 분산된 투명전극 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는, 박막 태양전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 후면전극은 가시광 또는 근적외선 대역에서 상기 제1 후면전극의 광흡수도 대비 상기 제2 후면전극의 광흡수도 비 가 1 보다 큰 파장대역이 존재하고, 비저항이 5E-5 Ωcm 이하인, 박막 태양전지의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 후면전극은 50 내지 1000 nm 범위 내의 두께로 형성되고, 상기 제2 후면전극은 10 내지 1000 nm 범위 내의 두께로 형성되는, 박막 태양전지의 제조 방법
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삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층을 증착하는 단계를 더 포함하고,상기 적어도 하나의 층은 상기 제2 레이저 스크라이빙 수행 시 상기 광흡수층과 함께 제거되는, 박막 태양전지의 제조 방법
10 10
투명 기판의 제1 면 상에 투명한 후면전극을 100 내지 2000 nm 범위 내의 두께로 증착하는 단계;상기 후면전극 상에 몰리브데늄산화물을 포함하는 계면제어 물질을 1 내지 50 nm 범위 내의 두께로 증착하는 단계;상기 후면전극을 분리하기 위해 제1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 후면전극 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 증착하는 단계;상기 광흡수층을 분리하기 위해 상기 투명 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 광흡수층 상에 투명전극을 증착하는 단계; 및상기 투명전극을 분리하기 위해 상기 제2 면으로 레이저를 입사시켜 제3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계를 포함하고,상기 광흡수층은 구리(Cu) 및 은(Ag) 중 적어도 하나, 인듐(In), 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 주석(Sn) 중 적어도 하나, 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는, 박막 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 후면전극은 가시광 또는 근적외선 대역에서 광흡수도가 20% 이하이고, 비저항이 1E-2 Ωcm 이하인 물질로 형성되는, 박막 태양전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 후면전극은 인듐의 산화물, 아연의 산화물, 주석의 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 투명전도산화물(TCO), TCO와 금속필름 또는 나노와이어층과 TCO로 구성된 다층구조 투명전극 및 그래핀, 카본나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 카본소재가 분산된 투명전극 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는, 박막 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 계면제어 물질은 400 내지 600 °C에서 안정하고, 일함수가 적어도 5 eV인, 박막 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층을 증착하는 단계를 더 포함하고,상기 적어도 하나의 층은 상기 제2 레이저 스크라이빙 수행시 상기 광흡수층과 함께 제거되는, 박막 태양전지의 제조 방법
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1 US09941423 US 미국 FAMILY
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1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 신재생에너지융합원천기술개발(전력기금) 폴리머 기판 기반의 셀효율 19%급 CIGS 박막 유연 태양전지 원천기술 개발