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포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법(PHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016009776
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 포토다이오드는 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 위치하는 광자 흡수층; 및 상기 광자 흡수층 위에 위치하는 제 2 캐리어 증폭층;을 포함할 수 있다. 한편, 포토다이오드 제조 방법은 기판 위에 제 1 캐리어 증폭층을 형성하는 단계; 상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 광자 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광자 흡수층 위에 제 2 캐리어 증폭층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 두 종류의 캐리어를 모두 이용하여 신호를 증폭함으로써 전압 이득 및 단일 광자 검출의 신뢰도를 증대시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020140149039 (2014.10.30)
출원인 한국과학기술연구원, (재)한국나노기술원, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1666400-0000 (2016.10.10)
공개번호/일자 10-2016-0050574 (2016.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20161014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상욱 대한민국 서울특별시 성북구
2 문성욱 대한민국 서울특별시 성북구
3 김용수 대한민국 서울특별시 성북구
4 이인준 대한민국 서울특별시 성북구
5 김상인 대한민국 경기도 용인시 수지구
6 박원규 대한민국 경기도 수원시 영통구
7 전동환 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
9 박경호 대한민국 경기도 수원시 영통구
10 정해용 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1045384-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0023801-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0192458-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0445215-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0445265-07
8 등록결정서
Decision to grant
2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0700681-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 위치하는 제 1 캐리어(carrier) 증폭층;상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 위치하는 광자 흡수층;상기 광자 흡수층 위에 위치하는 제 2 캐리어 증폭층;상기 광자 흡수층과 상기 제 2 캐리어 증폭층 사이에 제 1 전기장 조절층; 및상기 제 1 캐리어 증폭층과 상기 광자 흡수층 사이에 위치하는 제 2 전기장 조절층을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐리어는 전자이며, 상기 제 2 캐리어는 정공(hole)인 것을 특징으로 하는 포토다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 증폭층은 InP, InAlAs, InGaAsP 또는 InAlGaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 증폭층은 500 nm 이상 2 um 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전기장 조절층은 InP, InAlAs, InGaAsP, InAlGaAs 또는 InGaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전기장 조절층은 1016/cm3 이상 1018/cm3 이하의 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 증폭층과 상기 광자 흡수층 사이에 위치하는 완충층(grading layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 캐리어 증폭층 사이에 위치하는 버퍼층(buffer layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
11 11
기판 위에 제 1 캐리어 증폭층을 형성하는 단계;상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 광자 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광자 흡수층 위에 제 2 캐리어 증폭층을 형성하는 단계;상기 광자 흡수층과 상기 제 2 캐리어 증폭층 사이에 제 1 전기장 조절층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 캐리어 증폭층과 상기 광자 흡수층 사이에 제 2 전기장 조절층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조 방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제 11 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 증폭층과 상기 광자 흡수층 사이에 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 캐리어 증폭층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.