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오류검사정정 기능을 가진 3차원 메모리에 있어서, 메모리 셀 어레이 및 스페어셀 어레이를 각각 구비하되, 서로 수직 방향으로 적층된 복수 개의 메모리층 및상기 복수 개의 메모리층을 제어하는 마스터층을 포함하고, 상기 마스터층은 상기 복수 개의 메모리 층들 중 최상위에 적층된 상위 메모리층의 오류검사정정에 사용되는 체크 비트를 상기 상위 메모리층 아래에 적층된 하나 이상의 하위 메모리층의 스페어 셀 어레이에 저장하고, 상기 저장된 체크비트를 이용하여, 상기 상위 메모리층의 오류검사정정을 수행하되,상기 스페어셀 어레이는 메모리셀에 결함이 발생한 메모리셀을 대체하기 위한 하나 이상의 스페어 메모리 셀들로 이루어진 것이고, 상기 마스터층은 상기 복수 개의 메모리층 들마다 메모리셀 어레이에 결함 메모리셀을 가지는 결함 컬럼이 존재하는지 여부를 판단하고, 결함 컬럼이 존재하고 있는 경우에는 결함 컬럼을 가지고 있는 해당 메모리 층의 스페어셀 어레이의 스페어 컬럼을 상기 결함 컬럼과 대체하며, 상기 복수 개의 메모리층들 중 대체에 사용되지 않은 스페어 컬럼에 상기 상위 메모리층의 오류검사정정에 사용되는 체크 비트를 저장하는 것인, 3차원 메모리
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제 1 항에 있어서, 상기 마스터층은 대체에 사용되지 않은 스페어 컬럼과 상기 상위 메모리층 사이에 신호가 송수신될 수 있도록 전기적으로 연결하고, 상위 메모리층의 오류검사정정에 사용되는 체크비트를 저장하는, 3차원 메모리
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제 3 항에 있어서, 상기 마스터층은 상기 대체에 사용되지 않은 스페어 컬럼이 배치된 해당 메모리층이 구비하는 컬럼 선택 라인을 통하여 상기 전기적 연결을 수행하되, 상기 컬럼 선택 라인은 상기 대체에 사용되지 않은 스페어 컬럼을 제어하는 것인, 3차원 메모리
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제 1 항에 있어서, 상기 3차원 메모리는 복수 개의 메모리층을 관통하는 하나 이상의 실리콘 관통 전극을 더 포함하고,각각의 메모리층은 상기 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수의 메모리 컬럼 및 상기 스페어 셀 어레이를 구성하는 복수의 스페어 컬럼에 각각 접속된 복수의 컬럼 선택라인을 포함하고,상기 마스터 층은 상기 컬럼 선택라인의 온/오프 제어 및 상기 실리콘 관통전극을 통해 상기 상위 메모리층의 스페어 셀 어레이와 상기 하위 메모리층의 스페어 셀 어레이를 전기적으로 접속시켜 상기 체크비트가 상기 하나 이상의 하위 메모리층에 저장되도록 하는, 3차원 메모리
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제 1 항에 있어서, 상기 마스터층은 상기 상위 메모리층 아래에 적층된 하나 이상의 하위 메모리층 및 상기 상위 메모리층의 스페어 셀 어레이에 상기 체크 비트를 저장하는, 3차원 메모리
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