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터널링 금속­금속산화물­금속 핫전자 에너지 소자(Hot Electron Energy Device using Metal­Insulator­Metal structure)

  • 기술번호 : KST2016009829
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상기 제1금속층의 일함수보다 작은 일함수를 갖는 제2금속층; 및 상기 제1금속층의 일함수 및 제2금속층의 일함수보다 작은 전자친화도를 갖는 무기층;을 포함하며, 상기 무기층을 사이에 두고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층이 적층되어, 상기 제1금속층의 핫 전자가 상기 무기층을 터널링하여 상기 제2금속층으로 이동하는 에너지 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 31/102(2013.01) H01L 31/102(2013.01) H01L 31/102(2013.01)
출원번호/일자 1020140149215 (2014.10.30)
출원인 기초과학연구원, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1629690-0000 (2016.06.07)
공개번호/일자 10-2016-0050632 (2016.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20160613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 대한민국 대전광역시 유성구
2 이창환 대한민국 대전광역시 유성구
3 이영근 대한민국 대전광역시 유성구
4 이효선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1046315-43
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1236039-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-5003826-60
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.02.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-5005367-51
8 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0037525-17
9 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0041498-11
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-5010392-11
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0053467-03
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0806493-24
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0060491-34
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0060536-01
16 등록결정서
Decision to grant
2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0393807-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
핫 전자의 생성 및 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)에 의한 핫 전자의 증폭이 발생하는 제1금속층; 상기 제1금속층의 일함수보다 작은 일함수를 갖는 제2금속층; 및 상기 제1금속층의 일함수 및 제2금속층의 일함수보다 작은 전자친화도를 갖는 무기층;을 포함하며,상기 제2금속층 상에 상기 무기층 및 상기 제1금속층이 순차적으로 적층되어, 상기 제1금속층의 핫 전자가 상기 무기층을 터널링하여 상기 제2금속층으로 이동하는 에너지 소자
2 2
제 1항에 있어서,핫 전자의 터널링이 발생하는 무기층 영역인 터널링 영역은 상기 제2금속층의 일 단부, 상기 무기층의 일 단부 및 상기 제1금속층의 일 단부가 순차적으로 적층된 에너지 소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 에너지 소자는 서로 이격된 제1전극 및 제2전극을 더 포함하며,상기 제1금속층의 다른 일 단부는 제1전극과 연결되며, 상기 제2금속층의 다른 일 단부는 제2전극과 연결되는 에너지 소자
4 4
제 1항에 있어서,핫 전자의 터널링이 발생하는 무기층 영역인 터널링 영역의 두께는 1nm 내지 10nm인 에너지 소자
5 5
제 1항에 있어서,상기 제1금속층은 국부 표면 플라즈몬 공명을 야기하는 나노구조를 포함하는 에너지 소자
6 6
제 1항에 있어서,상기 제1금속층은 다공망 형태인 에너지 소자
7 7
제 1항에 있어서,상기 에너지 소자는 태양광 발전용인 에너지 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 기초과학연구원 캠퍼스연구단 연구사업 표면화학반응 연구 (2/5)