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칩 부품을 흡착하여 회로 기판에 실장하는 칩 마운터 노즐에 있어서,내부에 하면으로 관통하는 관통 홀을 구비하며, 상기 하면에 상기 칩 부품이 흡착되는 흡착면을 구비하는 노즐 본체와,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 코팅되는 디엘씨층 및 상기 디엘씨층에 코팅되는 산화물 나노 코팅층을 포함하며,상기 산화물 나노 코팅층은 원자층 증착 공정에 의하여 코팅되어 상기 흡착면에 흡착되는 상기 칩 부품의 눌림 현상을 감소시키고, 상기 디엘씨층의 검은색 색상이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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제 1 항에 있어서,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 소정 깊이로 형성되는 탄화 처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 노즐 본체는 지르코니아 또는 알루미나로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2, ZrO2, CuO, NiO, SiO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MbO, CeO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3, In2O, In2O3, SnO2, Ga2O3, CoO, LaCoO3, LaNiO3 및 SnOx로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 AlN, GaN, InN, SiNx, TiN, TaN, Ta3N5, NbN 및 MoN로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 1 ~ 1,000nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
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내부에 상면에서 하면으로 관통하는 관통 홀을 구비하며 관 형상이며, 상기 하면에 상기 칩 부품이 흡착되는 흡착면을 구비하는 노즐 본체에서 상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 디엘씨층을 코팅하는 과정 및 상기 디엘씨층에 산화물 나노 코팅층을 코팅하는 과정을 포함하며,상기 산화물 나노 코팅층은 원자층 증착 공정에 의하여 코팅하여 상기 흡착면에 흡착되는 상기 칩 부품의 눌림 현상을 감소시키고, 상기 디엘씨층의 검은색 색상이 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 소정 깊이로 형성되는 탄화 처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
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제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도가 80 ~ 350℃인 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
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제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 ZnO막으로 형성되며,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도는 120 ~ 180℃이며,상기 아연 공급원은 DEZ(Diethyl zinc: Zn(C2H5)2)이고 산소 공급원은 물이며,상기 아연 공급원을 0
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제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 Al2O3막으로 형성되며,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도는 80 ~ 200℃이며,상기 알루미늄 공급원은 TMA(Trimethyl Aluminum: Al(CH3)3)이고 산소 공급원은 물이며,상기 알루미늄 공급원을 0
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