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산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 및 이의 제조 방법(Chip Mounter Nozzle having Oxide Nano Coating Layer and Method of Manufacturing of the Same)

  • 기술번호 : KST2016009931
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 칩 부품을 흡착하여 회로 기판에 실장하는 칩 마운터 노즐로서 내부에 하면으로 관통하는 관통 홀을 구비하며, 상기 하면에 상기 칩 부품이 흡착되는 흡착면을 구비하는 노즐 본체 및 상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 코팅되는 산화물 나노 코팅층을 포함하는 것을 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 및 이의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H05K 13/04 (2006.01)
CPC H05K 13/0409(2013.01) H05K 13/0409(2013.01)
출원번호/일자 1020140150530 (2014.10.31)
출원인 홍익대학교 산학협력단, 주식회사 맥텍
등록번호/일자 10-1670213-0000 (2016.10.22)
공개번호/일자 10-2016-0051096 (2016.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20161027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 주식회사 맥텍 대한민국 경기도 부천시 오정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진하 대한민국 서울특별시 마포구
2 고명희 대한민국 서울특별시 마포구
3 권경우 대한민국 서울특별시 마포구
4 박다희 대한민국 서울특별시 마포구
5 최정완 대한민국 서울특별시 마포구
6 황희수 대한민국 서울특별시 마포구
7 추용조 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 주식회사 맥텍 대한민국 경기도 부천시 오정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1052753-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-1072882-63
3 보정요구서
Request for Amendment
2014.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0196854-28
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-1091957-89
5 보정요구서
Request for Amendment
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0211311-57
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-1148972-89
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0065800-02
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0567592-51
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1021198-02
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1140804-86
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1255108-80
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1255122-19
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0092163-15
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0320702-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0320692-36
17 등록결정서
Decision to grant
2016.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0560547-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
칩 부품을 흡착하여 회로 기판에 실장하는 칩 마운터 노즐에 있어서,내부에 하면으로 관통하는 관통 홀을 구비하며, 상기 하면에 상기 칩 부품이 흡착되는 흡착면을 구비하는 노즐 본체와,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 코팅되는 디엘씨층 및 상기 디엘씨층에 코팅되는 산화물 나노 코팅층을 포함하며,상기 산화물 나노 코팅층은 원자층 증착 공정에 의하여 코팅되어 상기 흡착면에 흡착되는 상기 칩 부품의 눌림 현상을 감소시키고, 상기 디엘씨층의 검은색 색상이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 소정 깊이로 형성되는 탄화 처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 노즐 본체는 지르코니아 또는 알루미나로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
5 5
삭제
6 6
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2, ZrO2, CuO, NiO, SiO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MbO, CeO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3, In2O, In2O3, SnO2, Ga2O3, CoO, LaCoO3, LaNiO3 및 SnOx로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
7 7
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 AlN, GaN, InN, SiNx, TiN, TaN, Ta3N5, NbN 및 MoN로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
8 8
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 1 ~ 1,000nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐
9 9
내부에 상면에서 하면으로 관통하는 관통 홀을 구비하며 관 형상이며, 상기 하면에 상기 칩 부품이 흡착되는 흡착면을 구비하는 노즐 본체에서 상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 디엘씨층을 코팅하는 과정 및 상기 디엘씨층에 산화물 나노 코팅층을 코팅하는 과정을 포함하며,상기 산화물 나노 코팅층은 원자층 증착 공정에 의하여 코팅하여 상기 흡착면에 흡착되는 상기 칩 부품의 눌림 현상을 감소시키고, 상기 디엘씨층의 검은색 색상이 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 노즐 본체의 흡착면을 포함하는 영역에 소정 깊이로 형성되는 탄화 처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
12 12
제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도가 80 ~ 350℃인 것을 특징으로 하는 산화물 나노 코팅층을 구비하는 칩 마운터 노즐 제조 방법
13 13
제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 ZnO막으로 형성되며,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도는 120 ~ 180℃이며,상기 아연 공급원은 DEZ(Diethyl zinc: Zn(C2H5)2)이고 산소 공급원은 물이며,상기 아연 공급원을 0
14 14
제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 산화물 나노 코팅층은 Al2O3막으로 형성되며,상기 원자층 증착 공정은 상기 증착 온도는 80 ~ 200℃이며,상기 알루미늄 공급원은 TMA(Trimethyl Aluminum: Al(CH3)3)이고 산소 공급원은 물이며,상기 알루미늄 공급원을 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 홍익대학교 산학협력단 산학연 도약기술개발사업 MLCC 이송용 고양산성 Chip Mounter Nozzle 제작을 위한 부품 표면 특성 개선 기술 개발