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분리된 흡수층 및 증폭층(separate absorption and multiplication)을 갖는 애벌랜치 포토다이오드에 있어서,상기 흡수층은 전계가 걸린 흡수층과 도핑된 흡수층의 조합으로 변형형성되고,상기 도핑된 흡수층은,상기 전계가 걸린 흡수층과 비흡수층 사이에 형성되며, 상기 전계가 걸린 흡수층의 도핑 농도보다 상대적으로 높은 도핑 농도를 가지는 도핑층으로 이루어지며,상기 도핑된 흡수층에는 필드스탑 도핑(field stop dopping)이 더 이루어지되, 상기 필드스탑 도핑은 상기 전계가 걸린 흡수층에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층은,단계적으로 도핑 농도의 차이를 두는 스텝형 도핑층으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 2항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층은,상기 비흡수층으로부터 상기 전계가 걸린 흡수층 방향으로 도핑 농도가 단계적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층은,연속적으로 도핑 농도의 차이를 두는 연속형 도핑층으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층은,단계적으로 도핑 농도의 차이를 두는 스텝형 도핑층과 연속적으로 도핑 농도의 차이를 두는 연속형 도핑층의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 필드스탑 도핑이 이루어진 도핑된 흡수층의 도핑 농도는 1e16cm-3~ 1e19cm-3이고, 필드스탑 도핑의 농도는 1 ~ 1e19cm-3인 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층의 도핑 농도는,1e16cm-3~ 5e19cm-3의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 흡수층과 상기 전계가 걸린 흡수층의 두께의 비는 0
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제 1항에 있어서, 상기 흡수층은,InGaAs, GaN, InGaN, GaAs, AlGaAs, AlAs, InP, InAlAs, InAlAsP, InSb, AlSb 중 어느 하나의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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