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흡수층 및 증폭층이 각각 분리되어 형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치 포토다이오드에 있어서,상기 흡수층은 전계가 걸린 흡수층과 도핑 및 조성변화층의 조합으로 이루어지되,상기 도핑 및 조성변화층은,상기 전계가 걸린 흡수층과 비흡수층 사이에 형성되며, 상기 전계가 걸린 흡수층의 도핑 농도보다 상대적으로 높은 도핑 농도를 가지면서, 상기 흡수층 물질을 이루는 화합물 반도체의 조성을 기판에 대해 10% 오차범위 내에서의 격자 부정합 또는 정합이 유지되도록 변형하여 형성되며,상기 도핑 및 조성변화층에는 필드스탑 도핑(field stop dopping)이 더 이루어지되, 상기 필드스탑 도핑은 상기 전계가 걸린 흡수층에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층은,단계적으로 도핑 농도의 차이를 두는 스텝형 도핑 농도를 가지면서, 단계적인 조성 변화를 갖는 조성변화층으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층은,연속적으로 도핑 농도의 차이를 두는 연속형 도핑 농도를 가지면서, 연속적인 조성 변화를 갖는 조성변화층으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층은,단계적으로 도핑 농도의 차이를 두는 스텝형 도핑 농도를 가지면서, 단계적인 조성 변화를 갖는 조성변화층 및연속적으로 도핑 농도의 차이를 두는 연속형 도핑 농도를 가지면서, 연속적인 조성 변화를 갖는 조성변화층의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층은,단계적으로 도핑 농도의 차이를 두는 스텝형 도핑 농도를 가지면서, 연속적인 조성 변화를 갖는 조성변화층 및연속적으로 도핑 농도의 차이를 두는 연속형 도핑 농도를 가지면서, 단계적인 조성 변화를 갖는 조성변화층의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항 내지 제 5항 중의 어느 항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층은,상기 비흡수층으로부터 상기 전계가 걸린 흡수층 방향으로 도핑 농도가 단계적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 필드스탑 도핑이 이루어진 도핑 및 조성변화층의 도핑 농도는 1e16cm-3~ 1e19cm-3이고, 필드스탑 도핑의 농도는 1 ~ 1e19cm-3인 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층의 도핑 농도는,1e16cm-3~ 5e19cm-3의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 도핑 및 조성변화층과 상기 전계가 걸린 흡수층의 두께의 비는 0
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제 1항에 있어서, 상기 흡수층은,InGaAs, GaN, InGaN, GaAs, AlGaAs, AlAs, InP, InAlAs, InAlAsP, InSb, AlSb 중 어느 하나의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
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