맞춤기술찾기

이전대상기술

희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법(Apparatus for Trapping Ion Using Sacrificial Layer and Method for Fabricating the Same)

  • 기술번호 : KST2016010023
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예는 반도체 기판 상에 DC 연결패드, 및 상기 DC 연결패드에 연결된 DC 레일을 포함하는 하나 이상의 중앙 DC전극; 상기 DC 레일에 인접하여 위치하는 하나 이상의 RF 레일, 및 상기 하나 이상의 RF 레일에 연결된 RF 패드를 포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을 기준으로 상기 DC전극 반대측에 위치하는 하나 이상의 측방 전극 패드를 포함하는 하나 이상의 측방 전극; 및 각 전극과 상기 반도체 기판 사이에 상기 각 전극을 지지하는 절연층을 포함하고, 상기 각 전극 중에서 적어도 하나의 전극은 상기 절연층으로부터 폭 방향으로 돌출된 돌출부(Overhang)를 갖는 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법을 제공한다.
Int. CL H01J 49/42 (2006.01.01)
CPC H01J 49/4225(2013.01)
출원번호/일자 1020140149616 (2014.10.30)
출원인 아이디 퀀티크 에스.에이., 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0053115 (2016.05.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.08)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 아이디 퀀티크 에스.에이. 스위스 스위스 씨에이치-**** 까루즈 슈만 드 라 말브러
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태현 대한민국 서울특별시 중구
2 조동일 대한민국 서울시 강남구
3 홍석준 대한민국 서울특별시 관악구
4 이민재 대한민국 서울시 송파구
5 천홍진 대한민국 서울특별시 성북구
6 최병두 대한민국 서울 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1048231-53
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0196848-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-1084733-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0875063-34
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001094-27
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0343429-44
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0712174-16
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0112205-19
12 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2018.09.19 1-1-2018-0932568-95
13 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0939825-32
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1154433-26
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1154455-20
16 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 1-1-2019-0009819-90
17 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0009902-82
18 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 1-1-2019-0009851-41
19 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0009870-19
20 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0009889-75
21 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0060251-08
22 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2019.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0059284-79
23 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2019.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0011260-64
24 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2019.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0012221-62
25 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0305471-17
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 DC 연결패드, 및 상기 DC 연결패드에 연결된 DC 레일을 포함하는 하나 이상의 중앙 DC전극;상기 DC 레일에 인접하여 위치하는 하나 이상의 RF 레일, 및 상기 하나 이상의 RF 레일에 연결된 RF 패드를 포함하는 RF 전극;상기 RF 전극을 기준으로 상기 DC전극 반대측에 위치하는 하나 이상의 측방 전극 패드를 포함하는 하나 이상의 측방 전극; 및각 전극과 상기 반도체 기판 사이에 상기 각 전극을 지지하는 절연층을 포함하고,상기 각 전극 중에서 적어도 하나의 전극은 상기 절연층으로부터 폭 방향으로 돌출된 돌출부(Overhang)를 갖는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 중앙 DC전극은 제1 중앙 DC전극 및 제2 중앙 DC전극을 포함하고,상기 제1 중앙 DC전극의 DC 레일인 제1 DC레일 및 상기 제2 중앙 DC전극의 DC 레일인 제2 DC레일은 서로 이격되어 상기 제1 DC레일 및 상기 제2 DC레일 사이에 트랩 영역을 갖고,상기 트랩영역에 대응되는 상기 반도체 기판 부분이 관통된 형태를 하는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 돌출부를 갖는 전극은 상기 트랩 영역에 인접한 전극인 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
4 4
제 2항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 트랩 영역을 향하는 방향으로 돌출된 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
5 5
제 2항에 있어서, 상기 돌출부는 전극마다 그 길이가 균일한 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
6 6
제 1항에 있어서, 상기 하나 이상의 측방 전극은 각각 상기 RF 전극의 길이 방향으로 소정의 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전극을 지지하는 절연층의 측벽은 평탄한 형상을 하는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치
8 8
반도체 기판에 절연층을 증착하는 과정;제1 마스크를 이용하여 상기 절연층을 패터닝하여 전극을 지지하기 위한 절연층 패턴을 형성하는 과정; 및상기 반도체 기판에 도전층을 증착하고 제2 마스크를 이용하여 상기 절연층 패턴 위에 RF 전극, 중앙 DC 전극 및 측방 전극을 포함하는 전극패턴을 형성하는 과정을 포함하여 이온 트랩 장치를 제조하되,상기 제2 마스크는, 각 전극 중에서 적어도 하나의 전극은 상기 절연층으로부터 상기 이온 트랩 장치의 폭 방향으로 돌출된 전극 돌출부(Overhang)를 갖도록 형성된 전극패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 절연층 패턴을 형성하는 과정 이후에, 상기 절연층 패턴 사이 공간에 희생층(Sacrificial Layer)으로 채운 후 연마 공정을 통하여 상기 반도체 기판의 상면을 평탄화하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 과정 이후에, 상기 희생층 물질을 선택적으로 제거하여 상기 전극 돌출부를 부유시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 트랩 장치 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.