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확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법에 있어서,중간층에 단위 마이크로 픽셀을 구분하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 마이크로 픽셀의 영역에 PN접합층을 형성하는 단계;상기 PN접합층과 상기 트렌치의 측벽 사이에 확산 방지층을 형성하는 단계;상기 실리콘 광증배 소자의 상부면에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 상부면에 폴리실리콘 저항층을 형성하는 단계; 및상기 폴리실리콘 저항층과 상기 PN접합층을 연결하는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 확산 방지층은 상기 PN접합층의 불순물이 상기 트렌치의 측벽까지 확산되는 것을 방지하는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 확산 방지층을 형성하는 단계는 상기 트렌치의 측벽과 상기 PN접합층 사이에 질소 이온을 주입한 후 열처리하여 실리콘 질화물(Si3N4)을 형성시키는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자에 있어서,기판;상기 기판 위의 중간층;상기 중간층에 형성되며 단위 마이크로 픽셀의 영역을 구분하는 트렌치;상기 중간층에 형성된 PN 접합층;상기 PN접합층과 상기 트렌치의 측벽 사이에 형성된 확산 방지층;상기 실리콘 광증배 소자의 상부면에 형성된 절연층;상기 절연층의 상부면에 형성된 폴리실리콘 저항층; 상기 폴리실리콘 저항층과 상기 PN접합층을 연결하는 금속 전극을 포함하되, 상기 확산 방지층은 상기 PN접합층의 불순물이 상기 트렌치의 측벽까지 확산되는 것을 방지하는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자
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제 4 항에 있어서,상기 확산 방지층은상기 트렌치의 측벽과 상기 PN접합층 사이에 질소 이온을 주입한 후 열처리하여 형성된 실리콘 질화물(Si3N4)인 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자
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확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법에 있어서,중간층에 단위 마이크로 픽셀을 구분하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 측벽에 인접하도록 확산 방지층을 형성하는 단계;상기 마이크로 픽셀의 영역에 포함된 확산 방지층들 사이에 PN접합층을 형성하는 단계;상기 실리콘 광증배 소자의 상부면에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 상부면에 폴리실리콘 저항층을 형성하는 단계; 및상기 폴리실리콘 저항층과 상기 PN접합층을 연결하는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 확산 방지층은 상기 PN접합층의 불순물이 상기 트렌치의 측벽까지 확산되는 것을 방지하는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 확산 방지층을 형성하는 단계는 상기 트렌치의 측벽과 상기 PN접합층 사이에 질소 이온을 주입한 후 열처리하여 실리콘 질화물(Si3N4)을 형성시키는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법에 있어서,중간층의 마이크로 픽셀로 설정된 영역에 PN접합층을 형성하는 단계;상기 PN접합층이 형성된 중간층을 단위 마이크로 픽셀로 구분하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 PN접합층과 상기 트렌치의 측벽 사이에 확산 방지층을 형성하는 단계;상기 실리콘 광증배 소자의 상부면에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 상부면에 폴리실리콘 저항층을 형성하는 단계; 및상기 폴리실리콘 저항층과 상기 PN접합층을 연결하는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 확산 방지층은 상기 PN접합층의 불순물이 상기 트렌치의 측벽까지 확산되는 것을 방지하는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 확산 방지층을 형성하는 단계는 상기 트렌치의 측벽과 상기 PN접합층 사이에 질소 이온을 주입한 후 열처리하여 실리콘 질화물(Si3N4)을 형성시키는 것인 확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법
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