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기판; 상기 기판 상부에 적층된 음극; 상기 음극 상부에 적층된 전자수송층; 상기 전자수송층 상부에 적층된 광활성층; 상기 광활성층 상부에 적층된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상부에 적층된 양극;을 포함하되, 상기 광활성층과 전자수송층 사이로 포함되는 금속 나노클러스터(nanocluster)를 포함하고,상기 금속 나노클러스터는 표면에 티올레이트(thiolate) 리간드(ligand)가 결합된 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판; 상기 기판 상부에 적층된 음극; 상기 음극 상부에 적층된 전자수송층; 상기 전자수송층 상부에 적층된 광활성층; 상기 광활성층 상부에 적층된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상부에 적층된 양극;을 포함하되, 상기 광활성층 내로 포함되는 금속 나노클러스터(nanocluster)를 포함하고,상기 금속 나노클러스터는 표면에 티올레이트(thiolate) 리간드(ligand)가 결합된 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판; 상기 기판 상부에 적층된 음극; 상기 음극 상부에 적층된 전자수송층; 상기 전자수송층 상부에 적층된 광활성층; 상기 광활성층 상부에 적층된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상부에 적층된 양극;을 포함하되, 상기 광활성층과 정공수송층 사이로 포함되는 금속 나노클러스터(nanocluster)를 포함하고,상기 금속 나노클러스터는 표면에 티올레이트(thiolate) 리간드(ligand)가 결합된 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판; 상기 기판 상부에 적층된 음극; 상기 음극 상부에 적층된 전자수송층; 상기 전자수송층 상부에 적층된 광활성층; 상기 광활성층 상부에 적층된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상부에 적층된 양극;을 포함하되, 상기 정공수송층 내로 포함되는 금속 나노클러스터(nanocluster)를 포함하고,상기 금속 나노클러스터는 표면에 티올레이트(thiolate) 리간드(ligand)가 결합된 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 수송층은 산화아연, 이산화티타늄, 산화규소, 산화 지르코늄, 산화 스트론튬, 산화인듐, 산화바나듐, 산화 몰리브덴, 산화텅스텐, 산화주석, 산화니오븀, 산화마그네슘, 및 산화갈륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 6항에 있어서 상기 산화아연의 전구체는 아연(Zn)을 포함하는 아세테이트, 시트레이트, 아세틸아세토네이트, 아크릴레이트, 아미드, 보로하이드라이드, 브로마이드, 클로라이드, 클로로티오페놀레이트, 시아나이드, 사이클로헥산부틸레이트, 부틸살리실레이트, 카바메이트, 살레이트, 옥사이드, 퍼클로레이트, 퍼옥사이드, 포스페이트, 프탈로시아닌, 스테아레이트, 설페이트, 설파이드 및 포르핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 금, 은, 백금, 팔라듐, 알루미늄, 구리 및 니켈을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종의 금속 나노입자인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 원자수가 2내지 100개이고, 상기 금속 나노클러스터는 발광특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 티올레이트 리간드(thiolate ligand)는 8 내지 20 개의 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정공수송층은 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrenesulfonate)], G-PEDOT[poly(3,4- ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate):polyglycol (glycerol)], PANI:PSS[polyaniline:poly(4-styrene sulfonate)], PANI:CSA(polyaniline: camphor sulfonic acid), PDBT[poly(4,4'-dimethoxy bithophene)], 아릴아민기(aryl amine group)를 가지는 저분자와 고분자, 방향족 아민기(aromatic amine group)를 가지는 저분자와 고분자로 이루어진 군중에서 선택되는 1종 이상인 것을 포함하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극은 은(Ag), 니켈(Ni) 및 금(Au)을 포함하는 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 태양전지
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제 1항 내지 4항 중 어느 한 항의 금속 나노클러스터(nanocluster)를 포함하는 태양전지의 제조방법으로써,금속 클러스터를 제조하는 단계 (단계 1);상기 단계 1에서 제조된 금속 클러스터의 리간드 교환반응(ligand exchange) 및 금속 클러스터 코어의 에칭을 통해 금속 나노입자를 둘러싸는 티올레이트를 포함하는 금속 나노클러스트를 제조하는 단계 (단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 금속 나노클러스터를 상기 광활성층과 전자수송층 사이, 또는 광활성층 내 또는 광활성층과 정공수송층 사이, 또는 정공수송층 내로 구비시키는 단계 (단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 단계 2에서 제조된 금속 나노클러스터와 전도성 고분자 물질과 혼합하여 광활성층과 전자수송층 사이, 또는 정공수송층 내로 구비시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 단계 2에서 제조된 금속 나노클러스터와 광활성층 물질과 혼합하여 광활성층 내로 구비시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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