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기판의 일면에 형성된 금속 나노 점을 구비하고,상기 금속 나노 점을 포함하면서 두께 1nm ~ 15 nm의 극박 투명 전극으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 투명전극은,극박 투명 전극에 금속 나노 점의 일부분이 매립된 형태로 복수의 금속 나노 점을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노 점은,Ag, Cu, Au, Pt, Sn 중 적어도 1종 이상을 포함하고,100℃ ~ 600℃ 의 열처리 혹은 집괴되어 나노 점으로 형성되며,상기 나노 점의 지름이 1nm ~ 500nm 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노 점이 구비된 투명 전극은,400nm ~ 700nm 파장 평균 투과도가 30% ~ 100% 인 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 극박 투명 전극은,Ag, Au, Cu, Ca, Mg 중 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 극박 투명 전극은,면 저항이 1 ohm/□ ~ 100 ohm/□ 인 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서, 상기 나노 점이 구비된 투명 전극의 하부에 위치한 기판은,PET(Poly ethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methylmethacrylate)), PUA(Poly urethane acrylate), 및 Polyimide, SU-8, omoclear 중 어느 하나의 고분자 재료;glass의 투명 산화물 기판; 및GaN, 또는 GaAs의 반도체 물질;중에서 선택된 1 종 이상 또는 상기 종들이 다층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 점과 극박 투명 전극 사이에는,WO3, MoO3, 및 V2O5 중 어느 하나로 이루어진 금속 산화물 층이 구비되고,물 접촉각(water contact angle)이 30° 이하인 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 점과 극박 투명 전극 사이에는,Ge, Au, 및 Al 중 적어도 하나 이상의 금속이 두께 0
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제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 점과 극박 투명 전극은,O2, N2, Ar, Cl, N2O, 및 CF4 군 중에서 적어도 하나 이상의 가스를 혼합한 플라즈마 처리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극
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제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 투명전극; 및기판을 포함하고,상기 투명전극은 금속 나노 점이 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극을 포함한 전자소자
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제 11항에 있어서, 상기 전자 소자는,발광 다이오드 (LED), 유기 발광 다이오드 (OLED), 및 유기 태양전지 (OPV) 중 어느 하나의 소자인 것을 특징으로 하는 나노 점이 구비된 투명전극을 포함한 전자소자
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