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발광층 도포용 부재를 준비하는 단계; 및상기 발광층 도포용 부재 상에 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 나노입자가 포함된 용액을 코팅하여 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계는,앵커링 용액을 이용한 스핀-어셈블리 공정, 유기 반도체의 혼합을 이용한 유기 호스트 복합체 형성 공정, 자기조립 단분자막을 이용한 드라이 컨택 프린팅 공정, 및 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자의 리간드의 트리옥틸 포스핀으로의 치환을 이용한 플로팅 공정 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계는 용액 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 용액 공정은,스핀코팅(spin-coating), 바코팅(bar coating), 슬롯 다이(slot-die coating), 그라비아 프린팅(Gravure-printing), 노즐 프린팅 (nozzle printing), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 전기수력학적 젯 프린팅 (electrohydrodynamic jet printing), 및 전기분무(electrospray)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정을 포함하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막의 두께는 1 nm 내지 1 μm인 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막의 평균 거칠기 (roughness)는 0
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제1항에 있어서,상기 앵커링 용액을 이용한 스핀-어셈블리 공정은,앵커링 용액 및 상기 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 나노입자 용액을 준비하는 단계;상기 발광층 도포용 부재 상에 상기 앵커링 용액을 코팅하여 앵커링 에이전트층을 형성하는 단계; 및상기 앵커링 에이전트층에 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자 용액을 용액 공정을 통해 코팅하여 앵커링 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 발광층의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 앵커링 발광층을 형성하는 단계 이 후에,상기 앵커링 발광층 상에 가교제층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 유무기 페로브스카이트 나노입자 용액을 코팅하는 단계 및 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자 용액이 코팅된 층 상에 가교제층을 형성하는 단계를 교대로 반복하여 상기 발광층의 두께를 조절하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체의 혼합을 이용한 유기 호스트 복합체 형성 공정은,상기 유무기 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액에 유기 반도체를 혼합하여 유무기 페로브스카이트-유기 반도체 용액을 제조하는 단계; 및상기 유무기 페로브스카이트-유기 반도체 용액을 코팅하여 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 발광층의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 유무기 페로브스카이트-유기 반도체 용액을 코팅하여 발광층을 형성하는 단계에서,상기 발광층은, 상기 발광층 도포용 부재 상에 유기 반도체층 및 유무기 페로브스카이트 나노입자가 순차적으로 적층된 형태로 자가 형성(self-organization)되는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막을 이용한 드라이 컨택 프린팅 공정은,상기 발광층 도포용 부재 상에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자막 상에 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하여 유무기 페로브스카이트 나노입자층을 형성하는 단계; 및스탬프를 이용하여 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자층과 접촉(contact)하여 원하는 패턴만큼 떼어낸 후 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자층을 제2 발광층 도포용 부재 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 스탬프는 폴리우레탄(Polyurethane), PDMS(Polydimethylsiloxane) PEO(Polyethylene oxide), PS(Polystyrene), PCL(Polycaprolactone), PAN(Polyacrylonitrile), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리이미드(Polyimide), PVDF(Poly(vinylidene fluoride)), PVK(Poly(n-vinylcarbazole)) 및 PVC(Polyvinylchloride)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 고분자를 포함하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 발광층 도포용 부재 상에 상기 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하여 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계를 복수번 반복하여 상기 발광층의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계의 이전 또는 이 후에,상기 발광층 도포용 부재 또는 상기 나노입자 제1 박막 상에 유무기 페로브스카이트 결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 마이크로입자 또는 유무기 페로브스카이트 제2 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광층의 제조방법
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발광층 도포용 부재; 및상기 발광층 도포용 부재 상에 배치되고, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조된, 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 나노입자 제1 박막을 포함하는 발광층
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제15항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막은 다층구조인 것을 특징으로 하는 발광층
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제15항에 있어서,상기 발광층 도포용 부재 및 상기 나노입자 제1 박막 사이, 또는 상기 나노입자 제1 박막 상에 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 마이크로입자 또는 유무기 페로브스카이트 제2 박막이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 발광층
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기판 상에 배치된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조된, 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 나노입자 제1 박막을 포함하는 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자
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제18항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 발광층 사이에 배치되고, 전도성 물질 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 불소계 물질을 포함하는 엑시톤 버퍼층을 더 포함하는 발광 소자
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제18항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막은 다층구조인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제18항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 나노입자 제1 박막 사이, 또는 상기 나노입자 제1 박막 상에 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 유무기 페로브스카이트 마이크로입자 또는 유무기 페로브스카이트 제2 박막이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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발광층 도포용 부재를 준비하는 단계; 및상기 발광층 도포용 부재 상에 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자가 포함된 용액을 코팅하여 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계는,앵커링 용액을 이용한 스핀-어셈블리 공정, 유기 반도체의 혼합을 이용한 유기 호스트 복합체 형성 공정, 자기조립 단분자막을 이용한 드라이 컨택 프린팅 공정, 및 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자의 리간드의 트리옥틸 포스핀으로의 치환을 이용한 플로팅 공정 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광층의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 나노입자 제1 박막을 형성하는 단계는 용액 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제23항에 있어서,상기 용액 공정은,스핀코팅(spin-coating), 바코팅(bar coating), 슬롯 다이(slot-die coating), 그라비아 프린팅(Gravure-printing), 노즐 프린팅 (nozzle printing), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 전기수력학적 젯 프린팅 (electrohydrodynamic jet printing), 및 전기분무(electrospray)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정을 포함하는 발광층의 제조방법
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발광층 도포용 부재; 및상기 발광층 도포용 부재 상에 배치되고, 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조된, 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 나노입자 제1 박막을 포함하는 발광층
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도포용 부재; 및상기 도포용 부재 상에 배치되고, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법을 통해 제조된, 유무기 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 나노입자 박막을 포함하는 광활성층
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제1항에 있어서,상기 유무기 페로브스카이트 나노입자의 리간드의 트리옥틸 포스핀으로의 치환을 이용한 플로팅 공정은,트리옥틸 포스핀 및 트리옥틸 포스핀 옥사이드를 포함하는 용액을, 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자가 포함된 용액에 첨가하여 상기 유무기 페로브스카이트 나노입자의 리간드를 치환시키는 단계;상기 리간드가 치환된 유무기 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액에, 트리페닐디아민(TPD) 화합물이 포함된 용액을 첨가하는 단계; 및상기 TPD 화합물이 첨가된 유무기 페로브스카이트 나노입자 용액을 상기 발광층 도포용 부재에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 앵커링 용액을 이용한 스핀-어셈블리 공정은,앵커링 용액 및 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노결정구조를 포함하는 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자 용액을 준비하는 단계;상기 발광층 도포용 부재 상에 상기 앵커링 용액을 코팅하여 앵커링 에이전트층을 형성하는 단계; 및상기 앵커링 에이전트층에 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자 용액을 용액 공정을 통해 코팅하여 앵커링 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 유기 반도체의 혼합을 이용한 유기 호스트 복합체 형성 공정은,상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액에 유기 반도체를 혼합하여 무기금속할라이드 페로브스카이트-유기 반도체 용액을 제조하는 단계; 및상기 무기금속할라이드 페로브스카이트-유기 반도체 용액을 코팅하여 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 자기조립 단분자막을 이용한 드라이 컨택 프린팅 공정은,상기 발광층 도포용 부재 상에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자막 상에 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하여 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자층을 형성하는 단계; 및스탬프를 이용하여 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자층과 접촉(contact)하여 원하는 패턴만큼 떼어낸 후 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자층을 제2 발광층 도포용 부재 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자의 리간드의 트리옥틸 포스핀으로의 치환을 이용한 플로팅 공정은,트리옥틸 포스핀 및 트리옥틸 포스핀 옥사이드를 포함하는 용액을, 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자가 포함된 용액에 첨가하여 상기 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자의 리간드를 치환시키는 단계;상기 리간드가 치환된 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자를 포함하는 용액에, 트리페닐디아민(TPD) 화합물이 포함된 용액을 첨가하는 단계; 및상기 TPD 화합물이 첨가된 무기금속할라이드 페로브스카이트 나노입자 용액을 상기 발광층 도포용 부재에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광층의 제조방법
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