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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 전도성 물질 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 불소계 물질을 포함하는 엑시톤 버퍼층;상기 엑시톤 버퍼층 상에 배치되며 유무기 하이브리드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 엑시톤 버퍼층은,상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 표면 버퍼층의 두께가 3nm 이상인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층은, 10-7 S/cm 내지 1000S/cm 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 불소계 물질은 30mN/m 이하의 표면 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 표면 버퍼층에서 상기 도전층과 가까운 제1면의 상기 불소계 물질의 농도보다 상기 제1면과 반대되는 제2면의 상기 불소계 물질의 농도가 더 낮은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제6항에 있어서,상기 표면 버퍼층의 상기 제2면에서 측정된 일함수는 5
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제1항에 있어서,상기 불소계 물질은 적어도 하나의 F를 포함하는 이오노머인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제8항에 있어서,상기 이오노머는 불화 이오노머인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 불소계 물질은 하기 화학식 1 내지 12의 구조를 갖는 이오노머로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 이오노머를 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 불소계 물질은 하기 화학식 13 내지 19의 구조를 갖는 이오노머 또는 불화 저분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 이오노머 또는 불화 저분자를 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전도성 물질은,전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 탄소 나노점, 금속 나노점 및 전도성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함 포함하는 발광 소자
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제12항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
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제12항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 탄소 나노점 또는 금속 나노점에 S(Z100) 및 -Si(Z101)(Z102)(Z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티가 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자(이 때, 상기 Z100, Z101, Z102, 및 Z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기임)
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제12항에 있어서,상기 전도성 산화물이 ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), SnO2 및 InO2으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층은 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층은 가교제를 더 포함하는 발광 소자
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제17항에 있어서,상기 가교제는 아민기(-NH2), 티올기(-SH), 및 카복실기(-COO-)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 발광 소자
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제17항에 있어서,상기 가교제는 비스페닐아지드계(Bis(phenyl azide)) 물질, 디아미노알칸(diaminoalkane)계 물질, 디티올(dithiol)계 물질, 디카볼실레이트(dicarboxylate), 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이드(ethylene glycol di(meth)acrylate) 유도체, 메틸렌비즈아미드(methylenebisacrylamide) 유도체, 및 디비닐벤젠(divinylbenzene :DVB)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 나노결정구조를 포함하는 입자 형태 또는 박막형태인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,유무기 하이브리드 페로브스카이트는 A2BX4,ABX4,ABX3 또는 An-1BnX3n+1의 구조(n은 2 내지 6사이의 정수)를 포함하고,상기 A는 유기암모늄이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인,발광 소자
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제21항에 있어서,상기 A는 (CH3NH3)n,((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n,(RNH3)2,(CnH2n+1NH3)2,(CF3NH3),(CF3NH3)n,((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n,((CxF2x+1)nNH3)2또는 (CnF2n+1NH3)2(n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수)이고,상기 B는 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 또는 이들의 조합이고,상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합인, 발광소자
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제20항에 있어서,상기 페로브스카이트의 나노결정구조를 둘러싸는 복수개의 알킬할라이드를 더 포함하는 발광소자
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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 전도성 물질 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 불소계 물질을 포함하는 엑시톤 버퍼층을 형성하는 단계;상기 엑시톤 버퍼층 상에 유무기 하이브리드 페로브스카이트 나노결정을 포함하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 엑시톤 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 전도성 물질 및 상기 불소계 물질을 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액을 상기 제1 전극 상에 도포하는 단계; 및상기 혼합용액으로 도포된 박막을 열처리하여, 상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층을 순차 적층 구조로 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제24항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 전도성 물질 및 상기 불소계 물질을 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 상기 제1 전극 상에 도포하는 단계; 및상기 도포된 박막을 열처리하여 상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층이 순차적으로 자기조립 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제24항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 A2BX4,ABX4,ABX3 또는 An-1BnX3n+1의 구조(n은 2 내지 6사이의 정수)를 포함하고,상기 A는 유기암모늄이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인, 발광소자의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 A는 (CH3NH3)n,((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n,(RNH3)2,(CnH2n+1NH3)2,(CF3NH3),(CF3NH3)n,((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n,((CxF2x+1)nNH3)2또는 (CnF2n+1NH3)2(n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수)이고,상기 B는 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 또는 이들의 조합이고,상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합인, 발광소자의 제조방법
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 전도성 물질 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 불소계 물질을 포함하는 엑시톤 버퍼층;상기 엑시톤 버퍼층 상에 배치되며 무기금속할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 엑시톤 버퍼층은,상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 발광 소자
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제28항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층은,상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층이 순차적으로 적층된 형태인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제29항에 있어서,상기 표면 버퍼층의 두께가 3nm 이상인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제28항에 있어서,상기 엑시톤 버퍼층은, 10-7 S/cm 내지 1000S/cm 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제28항에 있어서,상기 불소계 물질은 30mN/m 이하의 표면 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 전도성 물질 및 상기 전도성 물질보다 낮은 표면 에너지를 갖는 불소계 물질을 포함하는 엑시톤 버퍼층;상기 엑시톤 버퍼층 상에 배치되며 페로브스카이트 물질을 포함하는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 엑시톤 버퍼층은,상기 전도성 물질을 포함하는 도전층 및 상기 불소계 물질을 포함하는 표면 버퍼층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 태양 전지
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