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하전입자 소스에서 방출되는 하전입자빔이 통과하는 챔버;상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 크기를 제한하는 애퍼처; 및상기 챔버 일측에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 애퍼처를 통과한 상기 하전입자빔의 이미지가 맺히는 스크린;을 포함하고,상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 상기 이미지를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하되,상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;를 선행적으로 수행한 이후,측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
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제1항에 있어서,상기 가상 소스 위치 측정 단계는, 이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:[수학식]여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, D1apt는 애퍼처의 개구부 직경, D2는 스크린에 맺힌 하전입자빔 이미지의 직경, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다
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제1항에 있어서,상기 가상 소스 위치 측정 단계는, 상기 애퍼처를 하전입자빔 경로의 횡방향으로 특정 거리만큼 이동시켜, 상기 하전입자빔의 중심축을 이동시키는 중심축 이동단계;를 더 포함하며,이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:[수학식]여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, δD1apt는 애퍼처가 이동한 특정 거리, δD2는 스크린에서 하전입자빔 이미지의 중심축 이동거리, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다
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제1항에 있어서,상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;을 더 포함하고,상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;을 더 포함하고,상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 이하 수학식을 이용하여 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:[수학식]여기서, D3는 패러데이컵의 유효 직경, l2는 가상 소스 위치에서 패러데이컵까지의 거리, Ibeam은 패러데이컵에 의해 측정된 전류 정보, I'는 하전입자빔의 각전류밀도를 의미한다
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제1항에 있어서,상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
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제1항에 있어서,상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 이하 수학식을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:[수학식]여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, l1는 애퍼처 위치에서 스크린까지의 거리, Dsrc는 하전입자 가상 소스의 크기, DIMG는 스크린에 맺히는 하전입자빔 이미지의 가장자리에서 빔의 세기가 최대치(100%) 대비 25% 내지 75%에 이르는 거리를 의미한다
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제1항에 있어서,상기 챔버는 "ㅏ"자 단면의 원통 부재가 연속적으로 적층되어 형성되고, 틸팅이 가능하도록 구성되며,상기 하전입자빔의 중심축이 상기 챔버에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되며 관찰하고자 하는 시료이 안착되는 시료 스테이지; 및상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 반사되는 전자를 검출하거나, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 관통되는 하전입자빔을 검출하는 디텍터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버의 내부는 고진공, 초고진공, 극고진공으로 유지될 수 있고,상기 챔버의 재질은 탄소(carbon) 함량이 0
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제5항에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에 하전입자 소스를 장착하는 소스 장착 단계; 및상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;를 포함하고,상기 가상 소스 위치 측정 단계 이후에,측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계; 또는 측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가방법
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