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기판;상기 기판 상부에 구비되는 투명전극;상기 투명전극 상부에 구비되며, 복수개의 플러렌(fullerene)으로 연결된 흑연성 탄소(graphitic)를 포함하는 버퍼층(buffer layer); 및상기 버퍼층 상부에 구비된 반도체층;을 포함하는 광전기화학전지용 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 투명전극은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 황화아연(ZnS), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al) 및 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 티타늄, 니켈 및 몰리브데늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 반도체는 TiO2, Ga2O3, In2O3, ZnO, Nb2O5, WO3, Sn0, SnO2 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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투명전극 상부에 플러렌과 유기용매의 혼합용액을 코팅한 후, 이를 열처리하여 버퍼층을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 버퍼층 상부에 반도체 산화물 용액을 코팅한 후, 열처리하여 반도체층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하고,상기 단계 2의 열처리는 80 내지 120 ℃에서 전열처리 후 450 내지 550℃에서 1 내지 3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 단계 1에서 상기 혼합용액 중 플러렌의 농도는 10 내지 30mg/mL 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 단계 1의 유기 용매는 디클로로벤젠(dichlorobenzene), DCM(dichloromethane), 클로로포름(chloroform), DMF(N, N-dimethylformamide), THF(tetrahydrofuran) 및 에틸 아세테이트(ethyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 단계 1의 혼합용액은 스핀 코팅, 스핀 캐스팅, 롤 코팅 및 딥 코팅법으로 제 1전극 상부에 코팅되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 단계 1의 열처리는 80 내지 120 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 단계 2의 반도체 산화물은 TiO2, Ga2O3, In2O3, ZnO, Nb2O5, WO3, Sn0, SnO2 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 단계 2의 반도체 산화물 용액은 상기 단계 1에서 형성된 버퍼층 상부에 스핀 코팅, 스핀 캐스팅, 롤 코팅 및 딥 코팅법 중 1종의 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제 1항에 따른 광전극; 기준전극; 상대전극; 및 전해질;을 포함하되,상기 광전극과 상대전극이 전기적으로 연결된 광전기화학전지
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제 13항에 있어서, 상기 기준전극(reference electrode)은 수소전극(Pt/H2), 칼로멜전극(Hg/HgCl2), 은-염화은전극(Ag/AgCl), 수은-황산수은전극(Hg/HgSO4), 수은-산화수은전극(Hg/HgO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 수용액계 기준전극인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지
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제 13항에 있어서, 상기 상대전극(counter electrode)은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 탄탈륨(Ta)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지
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