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실리콘 질화물 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광소자(Silicon nitride phosphor, method of fabricating the same and light device having the same)

  • 기술번호 : KST2016010521
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 질화물 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광소자 에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 질화물 형광체는, 여기 광원에 의해 조사되어 광을 방출하는 Bam-lEulSi7N10 이며, 0.5 ≤ m ≤ 2.5이고, 0 003c# l ≤ 0.3의 화학식을 포함하는 실리콘 질화물 형광체이다. 본 발명의 또다른 실시예에 따른 실리콘 질화물 형광체는 Bam-n-lCanEulSi7N10 이며, 0.5 ≤ m ≤ 2.5, 0 003c# n ≤ 0.2, 0 003c# l ≤ 0.3의 화학식을 포함하는 실리콘 질화물 형광체이다.
Int. CL C09K 11/79 (2006.01) C09K 11/08 (2006.01) H05B 33/14 (2006.01) C09K 11/55 (2006.01)
CPC C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140169233 (2014.11.29)
출원인 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0054375 (2016.05.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140153209   |   2014.11.05
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영진 대한민국 서울 서초구
2 박정규 대한민국 충청북도 단양군
3 이충기 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1161945-17
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1168991-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0022350-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0591251-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1061893-42
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1138215-01
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1167037-49
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1167088-67
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1167063-26
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0184068-67
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0313979-16
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0611393-37
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0611389-54
14 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0554074-53
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번호 청구항
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여기 광원에 의해 조사되어 광을 방출하는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 실리콘 질화물 형광체:[화학식 2]Bam-n-lCanEulSi7N10 이며,0
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제 7 항에 있어서, 상기 실리콘 질화물 형광체는 시안(cyan) 발광 형광체인 실리콘 질화물 형광체
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제 7 항에 있어서,상기 여기 광원은 360 nm 내지 380 nm의 범위 내의 근자외선 영역을 포함하는 실리콘 질화물 형광체
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제 8 항에 있어서,상기 시안(cyan) 발광 형광체의 발광 피크는 460 nm 내지 490 nm의 범위 내의 주발광 피크를 포함하는 실리콘 질화물 형광체
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제 7 항에 있어서,상기 m은 0
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제 7 항에 있어서,상기 m는 1이고, 상기 n는 0
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Ba의 탄산화물 전구체, Ca의 탄산화물 전구체, Si의 질화물 전구체 및 활성화제 Eu의 산화물 전구체를 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 결과물을 열처리하여 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법: [화학식 2]Bam-n-lCanEulSi7N10 이며,0
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제 20 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 수행되는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 열처리는 상압에서 수행되는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 열처리는 1,500 ℃ 내지 1,800 ℃에서 수행되는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 Ba의 탄산화물 전구체는 BaCO3를 포함하고,상기 Ca의 탄산화물 전구체는 CaCO3를 포함하고,상기 Si의 질화물 전구체는 Si3N4를 포함하며,상기 Eu의 산화물 전구체는 Eu2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 BaCO3, CaCO3, Si3N4 및 Eu2O3의 화학식을 갖는 전구체 조성물의 비는 BaCO3 : CaCO3 : Si3N4 : Eu2O3 = (x-y-z) : y : 7/3 : z 이고, 0
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제 20 항에 있어서,상기 실리콘 질화물 형광체는 단사정계(monoclinic)의 결정 구조를 갖는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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근자외선 영역, 자외선 영역 및 청색 영역 중 적어도 어느 하나에 속하는 광을 방출하는 여기 광원과 상기 여기 광원의 광 경로 상에 배치되어 상기 광에 의해 조사되어 발광하는 제 7 항에 기재된 실리콘 질화물 형광체를 포함하는 광소자
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제 27 항에 있어서,상기 광소자는 발광 장치, 조명 장치 및 디스플레이 소자 중 어느 하나인 광소자
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1 WO2016072553 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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