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양자점으로 이루어진 코어(core)층;파이공액결합 구조의 화합물로서 폴리-3-헥실티오펜(P3HT)이 외부(shell)층;으로 이루어진 나노구조체에 있어서,상기 나노구조체는 하기 003c#화학식 1003e#로 나타내는 것을 특징으로 하는 나노구조체003c#화학식 1003e#(상기 003c#화학식 1003e#에서 n이 10 내지 100이고 X는 할로겐을 뜻한다
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs로 이루어진 군에서 선택되는 2종의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제2항에 있어서, 상기 양자점은 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe, CdS/ZnSe, CdS/ZnS, CdTe/ZnSe, CdTe/ZnS에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 폴리-3-헥실티오펜의 분자량(Mw)은 3000 내지 10,000인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 나노구조체 직경은 17 내지 23nm인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 003c#화학식 1003e#에서 n은 15 내지 62인 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 003c#화학식 1003e#에서 X는 Br인 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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a) 2종의 무기 반도체 물질로 코어-쉘 양자점을 제조하는 단계; b) 파이공액결합의 화합물로서 폴리-3-헥실티오펜(P3HT)을 화학적으로 합성하는 단계; c) 상기 화합물의 말단에 작용기를 도입하는 단계; d) 상기 화합물을 양자점 표면에 도입하는 단계;를 포함하고, 상기 d) 단계에서 하기 003c#화학식 2003e#로 표시되는 화합물을 도입하는 것을 특징으로 하는, 양자점과 폴리-3-헥실티오펜(P3HT) 화합물이 코어-쉘층으로 이루어진 나노구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 d)단계는 리간드 교환반응으로 화합물을 양자점 표면에 도입하는 단계인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 003c#화학식 2003e#에서 n은 15 내지 62이고, X는 Br인 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1극과 제2극 사이에 제1항 내지 제5항 및 제8항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따르는 나노구조체를 포함하는 광전지소자
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제1항 내지 제5항 및 제8항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따르는 나노구조체를 포함하는 광전지소자를 포함하는 전자장치
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