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체양자점으로 이루어진 코어(core)층;절연분자로 이루어진 절연층;파이공액결합 구조의 유기반도체 카바졸 화합물로 이루어진 외부(shell)층;을 포함하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs로 이루어진 군에서 선택되는 2종의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제2항에 있어서, 상기 양자점은 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe, CdS/ZnSe, CdS/ZnS, CdTe/ZnSe, CdTe/ZnS에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 유기반도체 카바졸 화합물은 절연분자를 포함한 하기 003c#화학식 1003e#로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체003c#화학식 1003e#(상기 화학식 1에서, ○은 코어층을 나타내고, R1, R2는 서로 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 로 이루어진 군에서 선택되고, 또는 R1~2은, 상기 q, r이 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며 복수의 R1끼리 혹은 복수의 R2끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다
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제4항에 있어서, 나노구조체의 직경은 4 내지 11 nm인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제5항에 있어서, 나노구조체는 n-절연(ins)-p형 이종접합형인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제4항에 있어서, 상기 유기반도체 카바졸 화합물은 003c#화학식 1003e#로 나타내는 화합물 중에 n이 2 내지 5의 정수를 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제4항에 있어서, 상기 유기반도체 카바졸 화합물은 003c#화학식 1003e#로 나타내는 화합물 중에 n이 4의 정수를 나타내고, R1, R2는 수소로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제4항에 있어서, 상기 양자점은 CdSe/ZnS로 이루어지고 상기 유기반도체 카바졸 화합물은 003c#화학식 1003e#로 나타내는 화합물 중에 n이 4의 정수를 나타내고, R1, R2는 수소로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 나노구조체
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제1극과 제2극 사이에 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 따르는 나노구조체를 포함하는 분자전자소자
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따르는 나노구조체를 포함하는 분자전자소자를 포함하는 전자장치
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제11항에 있어서, 상기 분자전자소자를 포함하는 태양전지, 디스플레이 또는 조명장치와 이를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치
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제13항에 있어서, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물003c#화학식 3003e#
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a) 2종의 무기 반도체 물질로 코어-쉘 양자점을 제조하는 단계;b) P형 파이공액결합의 유기반도체 카바졸 화합물을 화학적으로 합성하는 단계;c) 상기 유기반도체 카바졸 화합물에 절연분자를 도입하고 절연분자 말단에 티올기를 도입하는 단계;d) 상기 화합물을 양자점 표면에 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점-절연층-유기반도체 카바졸 화합물이 코어-절연층-쉘층으로 이루어진 나노구조체의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 (c)단계에서 화합물은 하기 003c#화학식 2003e# 로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법003c#화학식 2003e#
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제14항에 있어서, 상기 (d)단계는 초음파를 가하여 양자점에 003c#화학식 2003e#로 표시되는 화합물을 리간드 교환방식으로 도입하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 (b)단계에서 003c#화학식 2003e#로 표시되는 화합물을 합성하는 단계는, 카바졸 화합물에 절연분자를 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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