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탄화규소 반도체 소자의 제조 방법(Manufacturing Method of SiC Based Semiconductor Devices)

  • 기술번호 : KST2016010612
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법은, 탄화규소 기판의 일면에 불순물을 주입하여 도핑 영역을 형성하는 단계; 상기 탄화규소 기판의 일면에 그래핀으로 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 불순물을 활성화하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01)
CPC H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020140157903 (2014.11.13)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0057522 (2016.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경근 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-1092884-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-1194845-12
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0115049-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0068596-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0798744-56
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0048278-33
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0159952-79
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0263707-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0263689-27
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0531008-77
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0712230-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄화규소 기판의 일면에 불순물을 주입하여 도핑 영역을 형성하는 단계;상기 탄화규소 기판의 일면에 그래핀으로 보호층을 형성하는 단계; 및상기 불순물을 활성화하는 단계;를 포함하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는,플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 방법으로 상기 그래핀을 증착하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계에서는,상기 탄화규소 기판을 플라즈마 화학 기상 증착 반응기 내에 배치하고, 상기 플라즈마 화학 기상 증착 반응기에 메탄(CH4) 기체, 수소(H2) 기체 및 불활성 기체 중 적어도 하나를 포함하는 혼합 기체를 공급하여 미리 설정된 증착 공정 조건에 따라 상기 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 증착 공정 조건은 증착 온도, 증착 압력, 인가 파워, 증착 시간, 혼합 기체의 유량 및 혼합 기체의 유량비 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 증착 공정 조건은 상기 증착 온도가 400℃ ~ 1000℃, 상기 증착 압력이 1mTorr ~ 10Torr, 상기 인가 파워가 100W ~ 2000W, 상기 혼합 기체의 유량이 50sccm ~ 300sccm, 상기 혼합 기체에 포함된 메탄(CH4) 기체와 수소(H2) 기체의 유량비가 1:20 ~ 1:3으로 설정되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 보호층은 1㎚ ~ 0
7 7
제1항에 있어서,상기 불순물을 활성화하는 단계에서는,미리 설정된 활성화 온도에서 어닐링 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 활성화 온도는 1300℃ ~ 1900℃인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 보호층을 제거하는 단계에서는,산소 기체를 이용하는 애싱 공정으로 상기 보호층을 제거하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 나노융합상용화플랫폼촉진및활용사업 차세대 나노융합 소재부품 상용화지원사업
2 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 방사선기술개발사업 접합 반도체소자의 결함분석을 위한 방사광 비파괴검사 연구