맞춤기술찾기

이전대상기술

스플리터가 형성된 뱅크구조를 이용한 유기 박막트랜지스터의 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING BANK STRUCTURE WITH SPLITTER)

  • 기술번호 : KST2016010614
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 잉크젯 프린터를 이용한 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 팁스-펜타센 반도체층 형성에 있어서 스플리터가 형성된 뱅크를 이용하여 퍼져나가는 잉크의모양을 제어하여 이에 따라 제조된유기 박막 트랜지스터의 모양을 제어하고, 나아가 표시소자의 해상도를 높이며, 그 외 여러 가지 전자소자의 집적도를 높일 수 있는 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기 박막트랜지스터의 제조방법은, 기판상에 게이트전극을 형성하는 제1 단계; 기판 전면에 게이트전극을 덮도록 게이트절연층을 형성하는 제2 단계; 게이트절연층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 제3 단계; 및 게이트절연층 전면에 소스전극 및 드레인전극을 덮도록 팁스-펜타센(TIPS-pentacene)으로 활성층을 형성하되, 홈 또는 격벽으로 형성되되 좌측 및 우측이 각각 개방되는 오픈 뱅크 구조물 상에 낙하시키고 결정화되도록 예열하여, 활성층을 형성하는 제4 단계를 포함하며, 제4 단계에서는, 용액공정을 이용하여 활성층을 형성하되, 잉크젯법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0005(2013.01) H01L 51/0005(2013.01) H01L 51/0005(2013.01)
출원번호/일자 1020140157776 (2014.11.13)
출원인 동아대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1663194-0000 (2016.09.29)
공개번호/일자 10-2016-0057508 (2016.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20161007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.13)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김재선 대한민국 울산광역시 동구
2 송정근 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장경래 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 ** ****호 (거제동, 정림빌딩)(쥬리스트 법률 특허 사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-1091787-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5015182-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5140465-53
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079996-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0149659-63
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0398530-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0506108-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0616961-22
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0616931-63
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0473890-60
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0717478-72
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0561712-49
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0876271-68
15 등록결정서
Decision to grant
2016.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0672600-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 게이트전극을 형성하는 제1 단계;상기 기판 전면에 상기 게이트전극을 덮도록 게이트절연층을 형성하는 제2 단계;상기 게이트절연층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 제3 단계; 및상기 게이트절연층 전면에 상기 소스전극 및 드레인전극을 덮도록 팁스-펜타센(TIPS-pentacene)으로 활성층을 형성하되, 홈 또는 격벽으로 형성되되 좌측 및 우측이 각각 개방되는 오픈 뱅크 구조물 상에 잉크 방울을 낙하시키고 결정화되도록 예열하여, 상기 활성층을 형성하는 제4 단계;를 포함하며,상기 제4 단계에서는, 용액공정을 이용하여 상기 활성층을 형성하되, 잉크젯법을 이용하여 형성하되,상기 제4 단계에서는, 홈 또는 격벽으로 형성되되 좌측 및 우측이 각각 개방되는 상기 오픈 뱅크 구조물의 중앙을 가로지르는 스플리터(splitter)를 더 형성하는 오픈-스플리터 뱅크 구조물을 형성하며, 상기 스플리터를 기준으로 분리되도록 잉크방울을 낙하시킨 후, 결정화되도록 예열하여, 상기 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서는, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 상기 스플리터를 기준으로 좌우 각각에 한 쌍씩 형성하여, 하나의 기판에 동시에 두 개의 유기 박막트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제4 단계에서는, 상기 스플리터에 결정화가 몰리는 현상을 방지 가능한 시간 정도로, 예열시간을 연장시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제4 단계에서는, 적어도 셋 이상의 유기 박막트랜지스터를 형성하기 위해 상기 오픈-스플리터 뱅크 구조물에 스플리터를 더 배치하되, 더 배치되는 상기 스플리터는 좌측 또는 우측이 개방되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.