| 1 |
1
베이스;상기 베이스 상에 형성되고, 상기 베이스의 표면에 대하여 제1 각도로 이루어진 측면을 갖는 제1 광반사 억제 패턴들; 및상기 제1 광반사 방지 패턴들 상에 각각 형성되고, 상기 베이스의 표면에 대하여 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 기울어진 측면을 갖는 제2 광반사 억제 패턴들을 포함하는 광반사 억제 구조물
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 각도 및 상기 제2 각도는 90도 이하인 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 광반사 억제 패턴들 각각은 제1 수평 단면적을 갖고, 상기 제2 광반사 억제 패턴들 각각은 상기 제1 수평 단면적보다 작은 제2 수평 단면적을 갖는 것을 특징으로 광반사 억제 구조물
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제2 수평 단면적은 상부로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 베이스, 상기 제1 광반사 억제 패턴들 및 상기 제2 광반사 억제 패턴들은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물뿐, 4족 반도체 화합물 및 2-6족 반도체 화합물을 포함하는 반도체 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물
|
| 6 |
6
베이스를 준비하는 단계;상기 베이스 상에, 상기 베이스의 표면에 대하여 제1 각도로 이루어진 측면을 갖는 제1 광반사 억제 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 제1 반사 방지 패턴들 상에, 상기 베이스의 표면에 대하여 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 기울어진 측면을 갖는 제2 광반사 억제 패턴들을 각각 형성하는 단계를 포함하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1 각도 및 상기 제2 각도는 90도 이하인 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서, 상기 제1 광반사 억제 패턴들은 제1 수평 단면적을 각각 갖고, 상기 제2 광반사 억제 패턴들은 상기 제1 수평 단면적보다 작은 제2 수평 단면적을 각각 가지며, 상기 제2 수평 단면적들 각각은 상부로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 9 |
9
예비 베이스 상에 상기 예비 베이스에 대하여 식각 선택비를 갖는 제1 크기를 갖는 제1 나노 스피어들이 분산된 제1 나노 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 나노 마스크 패턴을 이용하여 상기 예비 베이스의 상부 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 예비 베이스의 하부 및 상부를 베이스 및 예비 광반사 억제 패턴으로 각각 전환시키는 단계;상기 제1 나노 스피어들을 선택적으로 식각하여, 상기 제1 나노 스피어들을 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 나노 스피어들로 전환시켜 제2 나노 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 나노 마스크 패턴을 이용하여 상기 예비 광반사 억제 패턴의 상부를 선택적으로 식각하여 상기 제1 예비 광반사 억제 패턴의 하부 및 상부를 제1 광반사 억제 패턴들 및 제2 광반사 억제 패턴들로 각각 전환시키는 단계를 포함하고,상기 제1 광반사 억제 패턴들은 상기 베이스의 표면에 대하여 제1 각도로 이루어진 측면을 각각 갖고, 상기 제2 광반사 억제 패턴들은 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도로 기울어진 측면을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 베이스, 상기 제1 광반사 억제 패턴들 및 상기 제2 광반사 억제 패턴들은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물뿐만, 4족 반도체 화합물 및 2-6족 반도체 화합물을 포함하는 반도체 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 제1 나노 마스크 패턴을 형성하는 단계는 딥 코팅 공정 또는 스핀 코팅 공정을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 제1 나노 마스크 패턴은 금속 산화물, 비금속산화물 또는 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서, 상기 예비 베이스 및 상기 예비 광반사 억제 패턴을각각 식각하는 단계는 아이시피(ICP) 식각 공정을 포함하고, 상기 제1 나노 스피어들을 선택적으로 식각하는 단계는 반응성 이온 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서, 상기 제2 나노 마스크 패턴을 이용하여 상기 예비 광반사 억제 패턴의 상부를 선택적으로 식각하는 단계는, 상기 제2 나노 스피어들의 크기를 점차적으로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 제1 광반사 억제 패턴들은 제1 수평 단면적을 각각 갖고, 상기 제2 광반사 억제 패턴들은 상기 제1 수평 단면적보다 작고 각각 상부로 갈수록 작아지는 제2 수평 단면적을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
| 16 |
16
제9항에 있어서, 상기 예비 베이스 상에 상기 제1 나노 마스크 패턴을 형성하는 단계는,상기 예비 베이스 상에 상기 제1 크기보다 작은 크기를 갖는 예비 나노 스피어들을 분산시키는 단계; 및상기 예비 나노 스피어들에 대하여 반응성 이온식각 공정을 수행하여, 상기 제1 크기를 갖는 제1 나노 스피어들이 분산된 제1 나노 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반사 억제 구조물의 제조 방법
|
