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석탄계 혹은 석유계 타르 또는 저연화점 핏치로부터 제조된 핏치를 소정 직경의 분무홀을 통하여 핏치 입자로 분무하기 위한 분무 노즐을 가진 핏치 반응조,상기 핏치 반응조의 외측에 설치되어 상기 핏치 반응조를 가열하여 상기 핏치를 용융시켜 주기 위한 가열기, 상기 가열기와 연결되어 상기 가열기의 온도를 조절하기 위한 온도 조절기, 상기 핏치 반응조의 하부에 설치되고 상기 핏치 반응조에 인가되는 극성과 반대의 반대의 전기장을 구현할 수 있는 전기 전도도를 갖는 전극 구조물,상기 핏치 반응조 및 상기 전극 구조물과 연결되고 일정한 크기의 전압레벨의 직류 전류를 상기 핏치 반응조와 상기 전극 구조물에 인가하는 고전압 발생기, 및 상기 핏치 반응조의 분무 노즐을 통해 분무된 핏치 입자를 회수하여 이방성 마이크로 구형 탄소체를 제조하기 위한 용매조를 포함하고, 상기 용매조는 상기 전극 구조물의 하부에 설치되고, 상기 분무 노즐의 분무홀은 용융된 피치를 핏치 입자로 분무할 수 있도록 0
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제1항에 있어서,상기 가열기와 상기 가열기의 온도조절기 사이에 배치되어, 상기 핏치 반응조에 인가되는 고전압이 상기 가열기의 온도조절기로 전달되지 않게 차폐하는 고전압 트랜스포머를 포함하는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제2항에 있어서,상기 전극 구조물은 2차원적 전기장 분포가 균일하게 구현될 수 있는 메쉬 스크린(mesh screen)으로 이루어지거나 상기 용매조의 일부에 형성되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제2항에 있어서,상기 핏치 반응조의 내부에는 핏치를 교반하기 위한 교반기가 설치되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 핏치 반응조에는 상기 핏치 반응조 내의 분무 단계에 용융된 핏치의 온도를 실시간으로 측정할 수 있도록 비접촉식 온도측정센서 또는 고전압의 직류 전압의 영향을 받지 않는 온도측정센서가 함께 구비되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 핏치 반응조에는 상기 핏치 반응조 내에 불활성 기체를 공급하는 불활성 기체 공급 설비가 구비되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 분무 노즐과 상기 전극 구조물 사이의 거리는 2 ~ 50cm만큼 이격되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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제10항에 있어서,상기 고전압 발생기에 의하여 상기 핏치 반응조와 상기 전극 구조물에 인가되는 전압은 5 내지 100kV의 직류 전압이 제공되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 장치
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핏치 반응조의 내에 석탄계 혹은 석유계 타르 또는 저연화점 핏치로부터 제조된 이방성 핏치를 공급하는 핏치 공급 단계,가열기에 의하여 상기 핏치 반응조를 가열하여 상기 핏치 반응조 내의 핏치를 핏치 연화점보다 0~100℃만큼 높은 온도로 유지하여 핏치를 용융시키는 핏치 용융 단계,상기 핏치 용융 단계의 용융 핏치를 상기 핏치 반응조의 분무 노즐의 분무홀을 통하여 핏치 입자 상태로 용매조로 분무하는 핏치 분무 단계,상기 핏치 분무 단계와 함께 실행되고 상기 핏치 반응조와 상기 핏치 반응조에 인가되는 극성과 반대의 반대의 전기장을 구현할 수 있는 전기 전도도를 갖는 전극 구조물을 일정한 거리 이격시킨 상태에서 고전압 발생기에 의하여 상기 핏치 반응조와 상기 전극 구조물 사이에 일정한 전압 레벨의 전압을 인가하는 전압 인가 단계, 및상기 핏치 분무 단계에서 분무된 핏치 입자를 상기 용매조에서 회수하는 핏치 입자 회수 단계를 포함하고, 상기 용매조는 상기 전극 구조물의 하부에 설치되고, 상기 핏치 분무 단계에서 상기 분무 노즐의 분무홀은 용융된 피치를 핏치 입자로 분무할 수 있도록 0
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제12항에 있어서,상기 전극 구조물은 2차원적 전기장 분포가 균일하게 구현될 수 있는 메쉬 스크린(mesh screen)으로 이루어지거나 상기 용매조의 일부에 형성되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 핏치 입자 회수 단계에서 회수된 핏치 입자를 진공 건조 및 설정된 온도에서 질소분위기에서 탄화하여 이방성 마이크로 구형 탄소체를 제조하는 제조 단계를 포함하는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 핏치 용융 단계는 상기 핏치 반응조 내의 핏치를 교반하기 위한 핏치 교반 단계를 포함하는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 핏치 용융 단계는 상기 핏치 반응조 내에 불활성 기체를 공급하는 불활성 기체 공급 단계를 포함하는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제12항, 제13항, 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전압 인가 단계는 고전압 트랜스포머에 의하여 상기 핏치 반응조에 인가되는 전압이 상기 가열기의 온도조절기로 전달되지 않게 차폐하는 차폐 단계를 포함하는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 전압 인가 단계에서 상기 분무 노즐과 상기 전극 구조물 사이의 거리는 2 ~ 50cm만큼 이격되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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제20항에 있어서,상기 전압 인가 단계에서 상기 고전압 발생기에 의하여 상기 핏치 반응조와 상기 전극 구조물에 인가되는 전압은 5 내지 100kV의 직류 전압이 제공되는 이방성 마이크로 구형 탄소체의 제조 방법
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