| 1 |
1
음극 전원에 연결되며, 전자를 방출하는 캐소드;양극 전원에 연결되며, 상기 캐소드에서 방출된 전자를 수용하는 아노드; 및상기 아노드와 대면하도록 형성되며, 상기 캐소드에서 방출된 전자가 통과하는 개구를 포함하는 접지 전극을 포함하되,상기 접지 전극은 상기 아노드가 고전압에서 동작함으로써 방전이 발생하는 경우에, 상기 방전에 의한 전하가 접지 쪽으로 방출되도록 하기 위해 접지되는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 개구는, 상기 캐소드 및 상기 접지 전극 간 거리에 따라 기설정된 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 개구는,상기 캐소드 및 상기 접지 전극 간 거리의 2배보다 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 접지 전극은,게이트인 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 접지 전극 및 상기 캐소드 사이에 복수의 전극 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 캐소드는, 상기 캐소드에서 방출된 전자를 전자빔으로써 방출하는 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 음극 전원 사이에 연결되는 N형 MOSFET; 및상기 N형 MOSFET의 게이트 단에 연결되며, 상기 N형 MOSFET의 게이트에 제어 전류를 입력하여 상기 캐소드의 전류를 제어하는 제어 신호원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 N형 MOSFET은,드레인이 상기 캐소드에 연결되고, 소스가 상기 음극 전원에 연결되며, 상기 게이트가 상기 제어 신호원과 연결되고,상기 제어 신호원은,일단이 상기 N형 MOSFET의 상기 게이트에 연결되고, 타단이 상기 음극 전원과 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 접지 전극은,전계방출 전자총으로 구현되는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은,바닥면에 구비되는 피드쓰루(feedthrough); 및상기 피드쓰루 상부에 구비되며, 수나사를 포함하여 구성되는 전자총 서브 어셈블리를 포함하되, 상기 캐소드 및 상기 접지 전극은,상기 수나사 내에 적층되고, 상기 피드쓰루와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은,상기 캐소드 및 상기 접지 전극 사이에 적층되는 복수의 전극 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은,상기 캐소드, 상기 접지 전극, 상기 복수의 전극 층을 전기적으로 분리시키기 위하여 상기 캐소드, 상기 접지 전극, 상기 복수의 전극 층 간에 구비되는 적어도 하나의 절연 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은, 상기 캐소드의 휨 방지를 위하여 상기 캐소드의 하단에 적층되는 캐소드 받침을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 14 |
14
제11항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은, 상기 캐소드 및 상기 접지 전극을 고정시키기 위해, 적층된 상기 캐소드 및 상기 접지 전극 상에 덮히며, 상기 수나사 측벽에 형성되는 개구에 결합하여 고정되는 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
| 15 |
15
제11항에 있어서, 상기 전계방출 전자총은, 상기 수나사에 결합하는 암나사; 및 상기 암나사를 관통하여 집속 전극에 결합함으로써, 상기 집속 전극을 상기 암나사와 결합하는 멈춤 나사를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
|
