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캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 형성된 적어도 하나의 에미터;상기 캐소드 전극의 상부에 위치된 아노드 전극; 및상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 위치되고, 적어도 하나의 개구부를 포함하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 형성된 원자층 시트를 포함하는 게이트 구조체를 포함하는 전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 복수의 개구부들은 복수의 에미터들과 대응되도록 위치되는전계방출 장치
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제2항에 있어서,상기 원자층 시트는 상기 복수의 개구부들과 중첩된 영역에서 곡면 구조를 갖는전계방출 장치
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제3항에 있어서,상기 원자층 시트는 상기 곡면 구조에 의해 상기 게이트 구조체와 상기 캐소드 전극 사이의 공간전하 왜곡을 완화하여, 상기 복수의 에미터들로부터 방출된 전자 빔을 집속시키는전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 복수의 개구부들은 상기 복수의 에미터들과 대응되는 크기를 갖는전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 원자층 시트는 그래핀 시트인전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 원자층 시트는 상기 게이트 구조체와 상기 캐소드 전극 사이의 공간전하 왜곡을 완화하는전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 에미터로부터 전자 방출을 유도하는 전계방출 장치
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제1항에 있어서,상기 개구부는 복수의 에미터들을 모두 포함하는 크기를 갖는전계방출 장치
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