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질화물 반도체 상에 소정 크기와 간격을 가지는 기초패턴을 형성하는 단계;상기 기초패턴이 형성된 질화물 반도체 상에 레이저를 조사하여 본패턴을 형성하는 단계; 및레이저 조사 후, 질화물 반도체 상의 기초패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 질화물 반도체가 사파이어를 제거하는 과정을 거친 n 형 질화물 갈륨계 물질인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 질화물 반도체가 p 형 질화물 갈륨계 물질인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 질화물 반도체에 형성된 기초패턴은,포토리소그래피, 나노임프린트 리소그래피, 레이저 간섭현상 리소그래피, 및 나노스피어 리소그래피 중 어느 하나에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 기초패턴은, 크기가 200 nm ~ 50 um이고, 패턴 사이의 간격이 100 nm ~ 50 um 인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 기초패턴은 레이저 패터닝 마스크인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 기초패턴을 형성하는 단계는,리소그래피에 의해 기초패턴을 형성하는 단계;기초패턴 및 질화물 반도체 상에 패터닝 마스크 물질을 증착하는 단계; 및기초패턴을 리프트 오프로 제거하는 단계를 포함하여,기초패턴이 제거된 부분의 질화물 반도체에 대해 레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 레이저의 파장이 248 nm를 가지고 에너지는 50 mJ ~ 1000 mJ 로 구비되고,레이저를 조사하는 회수가 1 ~ 50 회인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 레이저 조사 후, 반응한 질화물 반도체를 에칭하여 제거하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 6항에 있어서,상기 패터닝 마스크는,PR, PDMS, PMMA, PUA, polystyrene, silica, 및 Alumina 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 6항에 있어서,상기 기초패턴은 두께가 50 nm ~ 5 um 인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 7항에 있어서,상기 패터닝 마스크 물질은, 레이저를 흡수 또는 반사하는 금속이고,상기 금속이 Ag, Au, Pt, Al, Ti, Ni, Cr, Rh, 및 Cu 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 7항에 있어서,상기 패터닝 마스크 물질은, 레이저를 투과시키는 산화물이고,상기 산화물이 MgO, SiO2, ITO, CaO, WO3, MO, 및 GaO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 패터닝 마스크 물질은 두께가 1 nm ~ 1 um 인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 7항에 있어서,상기 패터닝 마스크 물질은 금속으로 이루어지고,상기 금속 아래에 희생층을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 15항에 있어서,상기 희생층은 습식 식각으로 제거하며,상기 희생층은 MgO, ITO, ZnO, SiO2, 및 GaO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 레이저가 흡수되어 패터닝된 질화물 반도체는 깊이가 1 nm ~ 1 um 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항에 있어서,상기 패터닝된 질화물 반도체 상에 산화아연 나노막대를 소정 영역에 성장시켜 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 질화물 반도체 패터닝 방법
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제 1항의 질화물 반도체 패터닝 방법에 의하여 제조된 수직형 질화물 갈륨계 발광 다이오드
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제 19항에 있어서,상기 패터닝된 질화물 반도체 표면에 PCE (photochemical etching)를 통하여 추가적으로 cone이 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물 갈륨계 발광 다이오드
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제 19항에 있어서,상기 패터닝된 질화물 반도체 표면에 산화아연 나노막대를 성장시켜 추가적인 나노구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물 갈륨계 발광 다이오드
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제 1항의 질화물 반도체 패터닝 방법에 의하여 제조된 수평형 질화물 갈륨계 발광 다이오드
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제 1항의 질화물 반도체 패터닝 방법에 의하여 제조된 질화물 반도체 기반의 소자
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