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평판형 히트파이프;상기 평판형 히트파이프의 외면 일측에 위치하고, 솔더링을 위하여 마련되는 솔더층; 및상기 솔더층의 상면에 위치하고, 상기 솔더층에 의해 상기 평판형 히트파이프에 고정되는 칩 패키지;를 포함하는 고방열 패키지
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제1항에 있어서,상기 평판형 히트파이프의 외면에 배치되고, 솔더링이 가능하도록 마련되는 금속층;을 더 포함하여,상기 솔더층은 상기 금속층의 외면 일측에 위치하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제2항에 있어서,상기 평판형 히트파이프의 외면에 위치하되, 상기 솔더층의 외측으로 배치되는 절연층;상기 절연층의 상면에 배치되는 배선전극 금속층; 및상기 배선전극 금속층의 상면에 배치되는 보조 솔더층;을 더 포함하여,상기 칩 패키지는 상기 보조 솔더층에 의해 상기 배선전극 금속층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제1항에 있어서,상기 솔더층을 제외한 나머지 부분의 상기 평판형 히트파이프의 외면에 배치되는 절연막; 및상기 절연막의 외면에 위치하되, 상기 솔더층의 외측으로 배치되는 배선전극 금속층;을 더 포함하여,상기 칩 패키지는 상기 배선전극 금속층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제4항에 있어서,상기 평판형 히트파이프의 외면에 배치되되, 상기 솔더층의 하부에 배치되고, 솔더링이 가능하도록 마련되는 금속층;을 더 포함하여,상기 솔더층은 상기 금속층의 상면에 위치하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제5항에 있어서,상기 배선전극 금속층과 상기 절연막 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 평판형 히트파이프의 하면에는 다수의 방열핀이 형성된 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 평판형 히트파이프의 하부에는 방열핀이 형성된 히트싱크가 마련된 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 칩 패키지의 상측에 위치하고, 입사되는 태양광을 상기 칩 패키지 측으로 집광하는 집광렌즈;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제9항에 있어서,상기 집광렌즈에 의해 집광된 초점에 위치하는 2차렌즈;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 칩 패키지의 외측에 배치되고, 입사되는 태양광을 집광하는 1차 반사미러; 및상기 1차 반사미러에 의해 집광된 초점에 위치하고, 상기 칩 패키지 측으로 다시 집광하는 2차 반사미러;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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12
제11항에 있어서,상기 2차 반사미러에 의해 집광된 초점에 위치하는 2차렌즈;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지
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평판형 히트파이프를 제조하는 단계;상기 평판형 히트파이프의 외면에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층이 형성된 상기 평판형 히트파이프의 외면 일측에 솔더층을 형성하는 단계; 및상기 솔더층에 칩 패키지를 위치시키고, 상기 솔더층을 용융하여 상기 칩 패키지를 상기 평판형 히트파이프에 고정하는 단계;를 포함하는 고방열 패키지 제조방법
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평판형 히트파이프를 제조하는 단계;상기 평판형 히트파이프의 외면 일측에 마스킹하는 단계;상기 평판형 히트파이프의 마스킹한 부분을 제외한 나머지 외면에 양극산화법으로 절연막을 형성하는 단계;상기 평판형 히트파이프의 마스킹한 부분을 제거하는 단계;마스킹한 부분이 제거된 상기 평판형 히트파이프의 외면 일측에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층의 외측에 배치된 상기 절연막의 상면에 배선전극 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층의 상면에 솔더층을 형성하는 단계;상기 솔더층에 칩 패키지를 위치시키고, 상기 솔더층을 용융하여 상기 칩 패키지를 상기 평판형 히트파이프에 고정하는 단계;상기 칩 패키지와 상기 배선전극 금속층을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는 고방열 패키지 제조방법
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제14항에 있어서,상기 배선전극 금속층을 형성하는 단계 이전에, 상기 금속층의 외측에 배치된 상기 절연막의 상면에 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하여,상기 배선전극 금속층을 상기 절연층의 상면에 형성하는 것을 특징으로 하는 고방열 패키지 제조방법
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