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유기물 박막 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 소자, 트랜지스터(Organic film pattering method, semiconductor element and transistor manufactured by the same)

  • 기술번호 : KST2016011050
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기물 박막 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 소자, 트랜지스터가 개시된다. 유기물 박막 패터닝 방법은 유기물 박막을 형성하는 공정; 포토마스크를 얼라인하여 상기 유기물 박막의 일부 영역에 선택적으로 노광 영역을 설정하는 공정; 및 상기 유기물 박막의 일부 영역에 선택적으로 자외선 또는 극자외선을 조사하여 상기 일부 영역의 반도체 특성을 제거하는 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 21/312 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/05(2013.01) H01L 51/05(2013.01) H01L 51/05(2013.01) H01L 51/05(2013.01)
출원번호/일자 1020140164290 (2014.11.24)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0062269 (2016.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성규 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김명길 대한민국 서울특별시 동작구
3 김재균 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
3 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1131421-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0053337-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0664835-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1152328-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1277549-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1277617-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0387604-89
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0727344-42
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0841353-05
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0841352-59
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0860789-23
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.12.29 무효 (Invalidation) 7-1-2016-0071614-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기물 박막을 형성하는 제1 공정;포토마스크를 얼라인하여 상기 유기물 박막의 일부 영역에 선택적으로 노광 영역을 설정하는 제2 공정; 및상기 유기물 박막의 일부 영역에 선택적으로 자외선 또는 극자외선을 조사하여 상기 일부 영역의 반도체 특성을 제거하는 제3 공정을 포함하는 유기물 박막 패터닝 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 공정에서 형성된 상기 유기물 박막은 진공증착 또는 용액으로 형성되되,상기 유기물 박막은 단분자, 고분자, 자기조립분자층(self-assembled monolayer) 또는 탄소원자를 기본으로 하는 탄소계 물질인 카본나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 퓰러린(fullerence) 중 적어도 하나 또는 둘 이상의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기물 박막 패터닝 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 유기물 박막은 전기적으로 도체 또는 반도체 특성을 가져서 전류를 전달하거나 전류의 양을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기물 박막 패터닝 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 포토마스크를 얼라인하는 공정 이전에,상기 유기물 박막에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 노광 영역은 상기 전극의 위치에 일치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 박막 패터닝 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 포토마스크는,석영 또는 알루미나로 구성되는 세라믹 층과,상기 세라믹 층의 일면에 배열되는 메탈로 구성된 마스크 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 박막 패터닝 방법
6 6
제1 항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 따른 유기물 박막 패터닝 방법을 통해 제조되는 소자
7 7
유기물 박막; 및상기 유기물 박막에 배열되는 적어도 하나의 전극을 포함하되,상기 유기물 박막은 얼라인된 포토마스크에 의해 상기 전극이 형성된 영역을 제외한 일부 영역이 선택적으로 자외선 또는 극자외선이 조사되어 반도체 특성이 제거된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 발색·발광·검지 소자를 위한 테트라피롤계 소재개발