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뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치(Synapse Apparatus for neuromorphic system applications)

  • 기술번호 : KST2016011149
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치를 제공한다. 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치는 일단이 입력전압과 연결된 제1 저항, 상기 제1 저항의 타단과 연결되고, 비대칭적 시냅틱 특성을 가지는 시냅스 소자 및 상기 시냅스 소자와 병렬 연결된 제2 저항을 포함한다. 따라서, 비대칭적 시냅틱 특성을 가지는 시냅스 소자에 직렬저항 및 병렬저항을 연결함으로써 대칭적 시냅틱 특성을 가지는 시냅스 장치를 제공할 수 있다. 따라서, 이러한 대칭적 시냅틱 특성을 토대로 뉴로모픽 시스템의 인식률을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01) G06N 3/04 (2006.01)
CPC G06N 3/0635(2013.01) G06N 3/0635(2013.01)
출원번호/일자 1020140167796 (2014.11.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1671071-0000 (2016.10.25)
공개번호/일자 10-2016-0063908 (2016.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20161031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 이대석 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1154479-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0044278-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0043794-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0255852-31
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0255856-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0542014-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일단이 입력전압과 연결된 제1 저항;상기 제1 저항의 타단과 연결되고, 비대칭적 시냅틱 특성을 가지는 시냅스 소자; 및상기 시냅스 소자와 병렬 연결된 제2 저항을 포함하고,상기 시냅스 소자에 걸리는 전압은 상기 입력전압을 일정하게 인가한 경우 상기 시냅스 소자가 갖는 저항값에 따라 변화하는 것을 특징으로 하고,상기 시냅틱 특성은 억제 (depression) 특성 및 증강(potentiation) 특성을 포함하고,대칭적 시냅틱 특성을 가지는 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 시냅스소자는 비휘발성 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자는 상변화 메모리 소자, 강유전체 메모리소자 또는 저항변화 메모리소자인 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치
6 6
제4항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자는,기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하되, 반도체 물질을 포함하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 활성층은 TiO2, NiO, Al2O3, Nb2O5, HfO2, V2O5 또는 Pr1-xCaxMnO3(PCMO)를 포함하는 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 미래유망 융합기술 파이오니아 사업 뉴로모픽(Neuromorphic) 반도체 소자 응용기술