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적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 코팅하는 원자층 증착 장치(Atomic Layer Deposition Apparatus for Coating Nano Thin Film Layer on Surface of Multi-Layer Ceramic Chip Component)

  • 기술번호 : KST2016011155
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공정 가스가 유입되는 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 챔버부와, 상기 챔버 하우징의 내부에 수평 방향의 중심 축을 중심으로 회전 가능하게 결합되며 상기 공정 가스가 일측에서 유입되어 타측으로 배출되는 회전 하우징 및 상기 회전 하우징을 회전시키는 회전 수단을 구비하는 회전부와, 상기 공정 가스가 저장되는 가스 공급원과 상기 가스 공급원과 상기 챔버 하우징을 연결하는 가스 공급 라인 및 상기 가스 공급 라인상에 설치되어 상기 공정 가스의 흐름을 제어하는 제어 밸브를 구비하는 가스 공급부 및 상기 챔버 하우징의 타측에 연결되어 상기 공정 가스를 배출하는 배기부를 포함하는 원자층 증착 장치를 개시한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01)
출원번호/일자 1020140166660 (2014.11.26)
출원인 홍익대학교 산학협력단, 주식회사 맥텍
등록번호/일자 10-1627710-0000 (2016.05.31)
공개번호/일자 10-2016-0063517 (2016.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 주식회사 맥텍 대한민국 경기도 부천시 오정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진하 대한민국 서울특별시 마포구
2 박대범 대한민국 경기도 군포시
3 추용조 대한민국 경기도 부천시 원미구
4 김현숙 대한민국 경기도 시흥시
5 박다희 대한민국 서울특별시 마포구
6 고명희 대한민국 서울특별시 마포구
7 권경우 대한민국 서울특별시 마포구
8 황희수 대한민국 서울특별시 마포구
9 최정완 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
2 주식회사 맥텍 경기도 부천시 오정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1147353-69
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1159254-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0037933-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0802238-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0061205-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0061242-51
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0325956-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정 가스가 유입되는 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 챔버부와,상기 챔버 하우징의 내부에 수평 방향의 중심 축을 중심으로 회전 가능하게 결합되며 상기 공정 가스가 일측에서 유입되어 타측으로 배출되는 회전 하우징 및 상기 회전 하우징을 회전시키는 회전 수단을 구비하는 회전부와,상기 공정 가스가 저장되는 가스 공급원과 상기 가스 공급원과 상기 챔버 하우징을 연결하는 가스 공급 라인 및 상기 가스 공급 라인상에 설치되어 상기 공정 가스의 흐름을 제어하는 제어 밸브를 구비하는 가스 공급부 및 상기 챔버 하우징에서 상기 회전 하우징을 중심으로 상기 회전 하우징의 내부에 유입된 공정 가스가 배출되는 방향인 상기 챔버 하우징의 타측에 연결되어 상기 공정 가스를 배출하는 배기부를 포함하며,상기 회전 하우징은내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 형상으로 형성되는 회전 원통관과,메쉬망으로 형성되며, 상기 회전 원통관의 일측단부에 결합되는 일측 회전벽 및메쉬망으로 형성되며, 상기 회전 원통관의 타측단부에 결합되는 타측 회전벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 회전 하우징은 내부에 적층 세라믹 칩 부품이 충진되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 적층 세라믹 칩 부품은 적층 세라믹 콘덴서(Multi-Layer Ceramic Capacitor), 적층형 칩 인덕터(Multi-Layer Chip Inductor), 적층형 파워 인덕터(Multi-Layer Power Inductor) 또는 적층형 칩 비드((Multi-Layer Chip Bead)인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 챔버 하우징은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 원통 형상으로 형성되며, 타측부에서 내주면으로부터 외주면으로 관통되는 가스 배출홀을 구비하는 원통관과,상기 원통관의 일측단을 차폐하며, 일면에서 타면으로 관통되는 가스 공급홀을 구비하는 일측벽 및상기 원통관의 타측단을 차폐하는 타측벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서상기 일측 회전벽의 메쉬망에 형성되는 일측 관통홀의 전체 면적이 상기 타측 회전벽의 메쉬망에 형성되는 타측 관통홀의 전체 면적보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
9 9
제 1 항에 있어서상기 회전부는중심 축이 상기 회전 하우징의 중심 축과 일치하도록 상기 회전 하우징의 일측에서 타측으로 관통되어 결합되는 회전 샤프트를 더 포함하며,상기 회전 샤프트는 상기 회전 수단에 의하여 회전되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
10 10
제 2 항에 있어서,상기 가스 공급원은 금속 원소의 공급원인 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스원과, 산소 또는 질소의 공급원인 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스원 및 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 가스원을 포함하며상기 가스 공급 라인은 상기 제 1 소스 가스원과 연결되는 제 1 소스 라인과, 상기 제 2 소스 가스원과 연결되는 제 2 소스 라인 및 상기 퍼징 가스원과 연결되는 퍼징 라인을 포함하며,상기 제어 밸브는 제 1 소스 라인에 제 1 제어 밸브와, 상기 제 2 소스 라인에 연결되는 제 2 제어 밸브 및 상기 퍼징 라인에 연결되는 퍼징 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 2 소스 가스는 수증기, 산소(O2), 오존 또는 산소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
12 12
제 10 항에 있어서,상기 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스는 상기 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
13 13
제 12 항에 있어서,상기 나노 박막층은 0
14 14
제 12 항에 있어서,상기 나노 박막층은 1
15 15
제 12 항에 있어서,상기 나노 박막층은 Al2O3, HfO2, ZrO2 La2O3, SiO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, SrTiO3, BaTiO3, AlN 및 SiNx로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
16 16
제 4 항에 있어서,상기 챔버부는 상기 가스 공급홀과 상기 가스 공급부를 연결하는 가스 공급관 및 상기 가스 배출홀과 상기 배기부를 연결하는 가스 배출관을 더 포함하며, 상기 배기부는 상기 가스 배출관에 연결되는 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 홍익대학교 산학협력단 산학연 도약기술개발사업 MLCC 이송용 고양산성 Chip Mounter Nozzle 제작을 위한 부품 표면 특성 개선 기술 개발