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평면 또는 곡면 기판;상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판에 비해 저굴절률을 갖는 제1 산화물 나노입자를 포함하는 제1 코팅층;상기 제1 코팅층 상에 수직 배열된, 이산화티탄 나노입자로 이루어진 테이퍼드 나노 필러(tapered nano-pillar)를 포함하는 제2 코팅층; 및상기 나노 필러의 단부에 배치된, 상기 기판에 비해 저굴절률을 갖는 제2 산화물 나노입자를 포함하는 제3 코팅층;를 포함하고, 상기 나노 필러는 상기 기판의 곡률에 상관없이 상기 기판의 접면과 수직 방향으로 상기 제1 코팅층 상에 배열된 것인 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 기판의 곡률이 R003c#50 범위인 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리기판, 고분자 기판, 세라믹 기판, 또는 이들의 조합인 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 기판의 굴절률이 1
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제1항에 있어서,상기 테이퍼드 나노 필러는 높이가 50 내지 200 nm이고, 평균 직경이 10 내지 50 nm인 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 테이퍼드 나노 필러는 상기 제1 코팅층 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 형태인 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 테이퍼드 나노 필러 사이에 공극을 포함하며, 상기 제2 코팅층의 굴절률(n)이 1 003c# n 003c# 2
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제1항에 있어서,상기 제1 산화물 나노입자 및 상기 제2 산화물 나노입자는 각각 독립적으로 이산화규소, 이산화 질화규소 및 이산화 탄화규소 중 적어도 하나를 포함하는 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 제1 코팅층 사이에 버퍼층을 더 포함하는 무반사 나노코팅 구조
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제9항에 있어서,상기 버퍼층은 산화알루미늄을 포함하는 무반사 나노코팅 구조
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제1항에 있어서,입사각 0°~50°에서 380~780 nm 영역에서의 평균 반사율이 0
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제1항에 있어서,입사각 60°~80°에서 380~780 nm 영역에서의 평균 반사율이 12% 미만인 무반사 나노코팅 구조
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평면 또는 곡면 기판 상에, 상기 기판에 비해 저굴절률을 갖는 제1 산화물 나노입자를 증착하여 제1 코팅층을 형성하는 단계;비활성 기체 및 일산화탄소 및 산소를 포함하는 반응성 기체와의 혼합 기체 하에서 스퍼터링 방법으로 상기 제1 코팅층 상에 이산화티탄 나노입자를 증착하여 테이퍼드 나노 필러(tapered nano-pillar)를 수직 성장시키는 단계; 및상기 나노 필러의 단부에 상기 기판에 비해 저굴절률을 갖는 제2 산화물 나노입자를 증착하는 단계;를 포함하는 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 기판의 곡률이 R003c#50 범위인 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 제1 산화물 나노입자의 증착 및 상기 제2 산화물 나노입자의 증착이 스퍼터링을 이용하여 수행되는 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 반응성 기체 중 일산화탄소 및 산소의 비율이 100:0 초과, 90:10 미만인 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 혼합 기체의 압력은 1×10-3 Torr 내지 5×10-3 Torr 범위인 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 테이퍼드 나노 필러의 수직 성장 단계에서, 상기 제1 코팅층이 형성된 기판에 대한 티타늄 타겟으로부터 발생한 플라즈마의 입사각을 0°내지 90° 범위로 조절할 수 있는 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1 코팅층을 형성하기 전에, 상기 기판 상에, 상기 기판의 굴절률과 상기 제1 코팅층의 굴절률 사이의 중간 굴절률을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 버퍼층은 산화알루미늄을 포함하는 무반사 나노코팅 구조의 제조방법
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