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제1 깊이의 제1 단차면 및 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이의 제2 단차면을 갖는 광학대;상기 제1 단차면의 상부에 위치하며, 적어도 하나 이상의 반도체 칩이 실장된 실리콘 캐리어;상기 제2 단차면에 고정되어 상기 제1 단차면까지 연장되고, 상기 제1 단차면 상부에서 상기 실리콘 캐리어와 칩투칩 본딩(chip-to-chip bonding)되는 AWG 칩(Arrayed Waveguide Grating Chip); 상기 제1 단차면 및 상기 제2 단차면을 제외한 상기 광학대의 상부면에 위치하는 렌즈; 및상기 광학대, 상기 실리콘 캐리어, 상기 AWG 칩 및 상기 렌즈를 둘러싸는 금속 패키지를 포함하되,상기 금속 패키지 일측면에는 상부 슬릿과 하부 슬릿을 포함하는 이중 슬릿이 형성되며,DC 연성 인쇄회로 기판(Direct Current FPCB)이 상기 상부 슬릿을 통과하여 상기 금속 패키지 외부에서 내부로 연장되고, 상기 DC 연성 인쇄회로 기판은 상기 상부 슬릿 내측면에 형성된 지지대에 고정되고,RF 연성 인쇄회로 기판(Radio Frequency FPCB)이 상기 하부 슬릿을 통과하여 상기 금속 패키지 외부에서 내부로 연장되고, 상기 RF 연성 인쇄회로 기판은 상기 실리콘 캐리어의 상부에 고정되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1항에 있어서,상기 이중 슬릿의 상기 상부 슬릿과 상기 하부 슬릿은 탄성형 에폭시(elastic epoxy)로 실링(sealing)되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1항에 있어서,상기 실리콘 캐리어 및 상기 AWG 칩은 열전도성 접착제를 이용하여 상기 제1 단차면에 고정되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1항에 있어서,상기 DC 연성 인쇄회로 기판, 상기 RF 연성 인쇄회로 기판 및 상기 실리콘 캐리어에 본딩패드(bonding pad)가 형성되고,상기 DC 연성 인쇄회로 기판 및 상기 RF 연성 인쇄회로 기판에 형성된 본딩패드는 상기 실리콘 캐리어에 형성된 본팅패드와 와이어 본딩(wire bonding)으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1항에 있어서,상기 금속 패키지 내부에 열전냉각기(thermo-electric cooler)를 더 포함하고,상기 광학대는 상기 열전냉각기의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1항에 있어서,상기 실리콘 캐리어에 실장된 상기 반도체 칩은,광송수신용 반도체 칩, 커패시터 칩, 써미스터 칩, 및 전자회로 부품 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광모듈
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제6항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 DML 어레이 칩(Direct Modulation Laser array chip)이고, 상기 전자회로 부품은 DML 드라이버 IC이며,상기 AWG 칩의 입력단에 Y-분기 도파로를 갖도록 형성하고, 상기 AWG 칩의 상기 Y-분기 도파로가 끝나는 지점에 모니터링 포토다이오드(monitoring photodiode, M-PD)를 형성하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제7항에 있어서,상기 Y-분기 도파로는 8~10%의 분기비를 갖는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제6항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 EML 어레이 칩(Electro-absorption Modulator integrated Laser array chip)이고, 상기 전자회로 부품은 매칭 회로이며,모니터링 포토다이오드를 상기 EML 어레이 칩에 단일 집적하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제6항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 수신 포토다이오드(receiver photodiode, R-PD)이고,상기 전자회로 부품은 TIA(TransImpedance Amplifier) IC 인 것을 특징으로 하는 광모듈
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제1 깊이의 제1 단차면 및 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이의 제2 단차면을 갖는 광학대;상기 제1 단차면의 상부에 위치하며, 적어도 하나 이상의 반도체 칩이 실장된 실리콘 캐리어;상기 제2 단차면에 고정되어 상기 제1 단차면까지 연장되고, 상기 제1 단차면 상부에서 상기 실리콘 캐리어와 칩투칩 본딩되는 AWG 칩; 상기 제1 단차면 및 상기 제2 단차면을 제외한 상기 광학대의 상부면에 위치하는 렌즈; 및상기 광학대, 상기 실리콘 캐리어, 상기 AWG 칩 및 상기 렌즈를 둘러싸는 금속 패키지를 포함하되,상기 금속 패키지 일측면에는 상부 슬릿과 하부 슬릿을 포함하는 이중 슬릿이 형성되며,상기 상부 슬릿을 통하여 DC 연성 인쇄회로 기판이 상기 금속 패키지 외부에서 내부로 연장되어 상기 상부 슬릿 내측면에 형성된 제1 지지대에 고정되고,상기 하부 슬릿을 통하여 제1 RF 연성 인쇄회로 기판이 상기 금속 패키지 외부에서 내부로 연장되어 상기 하부 슬릿 내측면에 형성된 제2 지지대에 고정되며,상기 실리콘 캐리어 상부에 제2 RF 연성 인쇄회로 기판이 형성되어 제1 RF FPCB와 와이어 본딩으로 연결되 는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제11항에 있어서,상기 이중 슬릿의 상기 상부 슬릿과 상기 하부 슬릿은 탄성형 에폭시로 실링(sealing)되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제11항에 있어서,상기 실리콘 캐리어 및 상기 AWG 칩은 열전도성 접착제를 이용하여 상기 제1 단차면에 고정되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제11항에 있어서,상기 DC 연성 인쇄회로 기판, 상기 제2 RF 연성 인쇄회로 기판, 및 상기 실리콘 캐리어에 본딩패드가 형성되고,상기 DC 연성 인쇄회로 기판 및 상기 제2 RF 연성 인쇄회로 기판에 형성된 본딩패드는 상기 실리콘 캐리어에 형성된 본팅패드와 와이어 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제11항에 있어서,상기 금속 패키지 내부에 열전냉각기를 더 포함하고,상기 광학대는 상기 열전냉각기의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제11항에 있어서,상기 실리콘 캐리어에 실장된 상기 반도체 칩은,광송수신용 반도체 칩, 커패시터 칩, 써미스터 칩, 및 전자회로 부품 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광모듈
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제16항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 DML 어레이 칩이고, 상기 전자회로 부품은 DML 드라이버 IC이며,상기 AWG 칩의 입력단에 Y-분기 도파로를 갖도록 형성하고, 상기 AWG 칩의 상기 Y-분기 도파로가 끝나는 지점에 모니터링 포토다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제17항에 있어서,상기 Y-분기 도파로는 8~10%의 분기비를 갖는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제16항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 EML 어레이 칩이고, 상기 전자회로 부품은 매칭 회로이며,모니터링 포토다이오드를 상기 EML 어레이 칩에 단일 집적하는 것을 특징으로 하는 광모듈
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제16항에 있어서,상기 광송수신용 반도체 칩은 수신 포토다이오드이고,상기 전자회로 부품은 TIA IC 인 것을 특징으로 하는 광모듈
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