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기판본체와; 상기 기판본체의 상부에 도전성 페이스트를 통해 형성되는 전극패턴을 포함하는 패턴 기판에 있어서,상기 도전성 페이스트는, 도전성 입자 및 2 이상의 종횡비(Aspect ratio)를 갖는 도전성 나노필러를 포함하며,상기 전극패턴은 상기 도전성 페이스트에 마이크로파 조사를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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제 1항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 1차원 도전성 나노필러, 2차원 도전성 나노필러 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 도전성 입자는 1 내지 2 미만의 종횡비를 갖는 0차원 도전성 입자인 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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제 2항에 있어서,상기 1차원 도전성 나노필러는 탄소나노튜브(Carbon nano tube), 금 와이어(Au wire), 은 와이어(Ag wire), 구리 와이어(Cu wire), 니켈 와이어(Ni wire), 코발트 와이어(Co wire), 철 와이어(Fe wire), 티타늄 와이어(Ti wire) 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 2차원 도전성 나노필러는 그래핀(Graphene), 환원그래핀산화물(Reduced graphene oxide), 금 플레이크(Au flake), 은 플레이크(Ag flake), 구리 플레이크(Cu flake) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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제 1 내지 3항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 전체 100중량부에 대해 0
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기판본체와; 상기 기판본체의 상부에 도전성 페이스트를 통해 형성되는 전극패턴을 포함하는 패턴 기판에 있어서,상기 도전성 페이스트는,상기 전극패턴을 형성하며 도전성 입자를 갖는 제1도전성 페이스트와;상기 기판본체와 상기 제1도전성 페이스트 사이에 도포되며, 2 이상의 종횡비(Aspect ratio)를 갖는 도전성 나노필러를 갖는 제2도전성 페이스트를 포함하며,상기 전극패턴은,상기 제1도전성 페이스트 및 상기 제2도전성 페이스트에 마이크로파 조사를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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제 5항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 1차원 도전성 나노필러, 2차원 도전성 나노필러 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 도전성 입자는 1 내지 2 미만의 종횡비를 갖는 0차원 도전성 입자인 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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7
제 6항에 있어서,상기 1차원 도전성 나노필러는 탄소나노튜브(Carbon nano tube), 금 와이어(Au wire), 은 와이어(Ag wire), 구리 와이어(Cu wire), 니켈 와이어(Ni wire), 코발트 와이어(Co wire), 철 와이어(Fe wire), 티타늄 와이어(Ti wire) 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 2차원 도전성 나노필러는 그래핀(Graphene), 환원그래핀산화물(Reduced graphene oxide), 금 플레이크(Au flake), 은 플레이크(Ag flake), 구리 플레이크(Cu flake) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 패턴 기판
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8
제 4 내지 7항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 전체 100중량부에 대해 0
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패턴 기판 제조방법에 있어서,도전성 입자 및 2 이상의 종횡비(Aspect ratio)를 갖는 도전성 나노필러를 포함하는 도전성 페이스트를 준비하는 단계와;상기 도전성 페이스트를 기판본체에 패터닝하는 단계와;상기 기판에 마이크로파를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 1차원 도전성 나노필러, 2차원 도전성 나노필러 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 도전성 입자는 1 내지 2 미만의 종횡비를 갖는 0차원 도전성 입자인 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 1차원 도전성 나노필러는 탄소나노튜브(Carbon nano tube), 금 와이어(Au wire), 은 와이어(Ag wire), 구리 와이어(Cu wire), 니켈 와이어(Ni wire), 코발트 와이어(Co wire), 철 와이어(Fe wire), 티타늄 와이어(Ti wire) 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 2차원 도전성 나노필러는 그래핀(Graphene), 환원그래핀산화물(Reduced graphene oxide), 금 플레이크(Au flake), 은 플레이크(Ag flake), 구리 플레이크(Cu flake) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 9 내지 11항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 전체 100중량부에 대해 0
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제 9항에 있어서,상기 마이크로파를 조사하는 단계는,간헐적으로 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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패턴 기판 제조방법에 있어서,2 이상의 종횡비(Aspect ratio)를 갖는 도전성 나노필러를 포함하는 제1도전성 페이스트 및 도전성 입자를 포함하는 제2도전성 페이스트를 준비하는 단계와;기판본체에 상기 제1도전성 페이스트를 코팅하는 단계와;상기 제1도전성 페이스트에 상기 제2도전성 페이스트를 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 1차원 도전성 나노필러, 2차원 도전성 나노필러 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 도전성 입자는 1 내지 2 미만의 종횡비를 갖는 0차원 도전성 입자인 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 1차원 도전성 나노필러는 탄소나노튜브(Carbon nano tube), 금 와이어(Au wire), 은 와이어(Ag wire), 구리 와이어(Cu wire), 니켈 와이어(Ni wire), 코발트 와이어(Co wire), 철 와이어(Fe wire), 티타늄 와이어(Ti wire) 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 2차원 도전성 나노필러는 그래핀(Graphene), 환원그래핀산화물(Reduced graphene oxide), 금 플레이크(Au flake), 은 플레이크(Ag flake), 구리 플레이크(Cu flake) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 패턴 기판 제조방법
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제 14 내지 16항에 있어서,상기 도전성 나노필러는 전체 100중량부에 대해 0
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