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바닥면에 배치되는 히터유닛;상기 히터유닛의 상측에 배치되며, 제 1 패턴이 상부면에 형성되는 제 1 감지센서; 및상기 제 1 감지센서와 일정 거리 이격 배치되며, 바닥면에는 제 2 패턴이 형성되고, 상부면에는 제 3 패턴이 형성되는 제 2 감지센서;를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 패턴 사이에 피측정 대상물인 샘플이 상기 제 1 및 2 패턴들과 면 접촉하도록 배치되고, 상기 제 1 패턴은,마이너스 전압 및 전류가 인가되는 제 1 단자;상기 제 1 단자의 타측에 배치되며 플러스 전압 및 전류가 인가되는 제 2 단자;상기 제 1 및 제 2 단자를 연결하는 제 1 센싱부;상기 제 1 및 제 2 단자와 간섭되지 않는 위치에 배치되며, 상기 샘플의 안착 위치를 가이드 하는 제 1 가이드부; 및상기 제 1 센싱부의 좌우측에 상기 제 1 가이드부와 간섭되지 않는 위치에 배치되는 제 2 가이드부;를 포함하며, 상기 제 2 패턴은,마이너스 전압 및 전류가 인가되는 제 3 단자;상기 제 3 단자의 타측에 배치되며 플러스 전압 및 전류가 인가되는 제 4 단자;상기 제 3 및 제 4 단자를 연결하는 제 2 센싱부; 및상기 제 1 및 제 2 단자와 간섭되지 않는 위치에 배치되며, 상기 샘플의 안착 위치를 가이드 하는 제 3 가이드부;를 포함하며,상기 제 3 및 제 4 단자와 제 2 센싱부는 상기 제 1 및 제 2 단자와 제 1 센싱부에 대하여 90도 각도를 가지도록 배치되고,상기 제 3 패턴은,마이너스 전압 및 전류가 인가되는 제 5 단자;상기 제 5 단자의 타측에 배치되며 플러스 전압 및 전류가 인가되는 제 6 단자;상기 제 5 및 제 6 단자를 연결하는 제 3 센싱부; 및상기 제 3 및 제 4 단자와 간섭되지 않는 위치에 배치되며, 상기 제 5 및 제 6 단자와 제 3 센싱부는 상기 제 3 및 제 4 단자와 제 2 센싱부에 대하여 90도 각도를 가지도록 배치되고, 상기 제 1 내지 3 센싱부는 동일한 패턴 및 크기를 가지도록 형성되는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 감지센서는,실리콘 베이스의 하측에 배치된 상기 제 2 패턴의 상부면과 하부면에 산화 실리콘이 배치되고,실리콘 베이스의 상측에 배치된 상기 제 3 패턴의 상부면과 하부면에 산화 실리콘이 배치되는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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제 1 항에 있어서,제 3 및 제 4 단자의 양단을 연결하여 제 1 온도를 측정하고,제 1 및 제 2 단자의 양단을 연결하여 제 2 및 제 3 온도를 측정하고,제 1 및 제 2 온도를 이용하여 샘플 상하부의 온도차를 측정하는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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제 1 항에 있어서,제 2 및 제 4 단자의 양단을 연결하여 샘플 상하부의 전위차를 측정하는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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제 1 항에 있어서,샘플 상하부간 온도차와 전위차를 이용하여 샘플의 수직방향(cross-plane)의 제벡계수를 직접 측정하고,상기 제 2 감지센서의 열저항 물성과 샘플의 형상 물성 및 제 2 및 제 3 온도의 온도차를 이용하여 샘플의 수직방향(cross-plane)의 열전도도를 직접 측정하는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 패턴은,MEMS 구조로 형성된 센싱 패턴이 백금(Pt) 재질로 형성되는 열전박막의 열전특성 측정센서유닛
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