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메모리 셀 어레이에 포함된 복수의 메모리 셀들의 메모리 셀 계수를 만족시키는 펄스 전원 스펙을 억세스하는 단계와,억세스된 상기 펄스 전원 스펙에따른 펄스 전원을 생성하는 단계와,상기 생성된 펄스 전원을 이용하여 상기 메모리 셀들에 대한 기록 동작을 수행하는 단계를 포함하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기록 동작의 결과를 모니터링하는 단계와,상기 모니터링 결과에 따라, 상기 메모리 셀 계수를 만족시키는 다른 펄스 전원 스펙을 억세스하는 단계와,상기 억세스된 다른 펄스 전원 스펙에 따라, 전압 레벨 및 펄스 폭 중 적어도 하나가 변동된 펄스 전원을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제1 항에 있어서,상기 메모리 셀 계수는 상기 메모리 셀의 재료 및 구조 중 적어도 하나의 특성에 따른 값을 갖는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제1 항에 있어서,상기 억세스된 펄스 전원 스펙에 따라 상기 펄스 전원의 전압 레벨 및 펄스 폭을 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제4 항에 있어서,상기 메모리 셀 계수는 다음의 수식을 만족하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제5 항에 있어서,상기 메모리 셀 계수를 만족시키는 상기 전압 레벨 및 펄스 폭을 갖는 펄스 전원이 인가될때, 상기 메모리 셀에는 동일한 기록 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제1 항에 있어서,상기 복수의 메모리 셀들은 서로 다른 메모리 셀 계수를갖는 제1 메모리 셀 및 제2 메모리 셀을 포함하고,상기 제1 메모리 셀 및 제2 메모리 셀은 각각 서로 다른 메모리 셀 계수를 만족시키는 펄스 전원에 의해 기록 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제1 항에 있어서,테스트 동작을 통해 산출된 상기 메모리 셀 계수를 만족하는 다수의 펄스 전원 스펙들이 상기 저항성 메모리 장치에 저장되는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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메모리 셀 어레이에 포함된 복수의 메모리 셀들의 특성에 따른 메모리 셀 계수를 만족하도록 펄스 전원의 전압 레벨 및 펄스 폭을 설정하는 단계와,기록 명령에 응답하여 상기 설정된전압 레벨 및 펄스 폭을 갖는 펄스 전원을 생성하는 단계와,상기 생성된 펄스 전원을 이용하여 상기 메모리 셀들에 대한 기록 동작을 수행하는 단계를 포함하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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제9 항에 있어서,상기 메모리 셀은 멀티 레벨 셀이고,상기 메모리 셀 계수를 억세스하는 단계는상기 멀티 레벨 셀에 제1 내지 제3 기록 동작 중 어느 하나의 기록 동작이 수행될 지 여부를 수신하는 단계와,상기 멀티 레벨 셀이 가지는 제1 내지 제3 메모리 셀 계수들 중 수신된 상기 기록 동작에 대응되는 메모리 셀 계수를 억세스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치의 제어 방법
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