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무전원 무선 안압 센서, 그리고 그것을 포함하는 측정 시스템(SELF-POWERED WIRELESS INTRAOCULAR PRESSURE SENSOR AND MEASUREMENT SYSTEM INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016011302
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 안압 센서는 콘택트렌즈의 형태를 가지는 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 외부 압력에 따라 변화하는 축전 용량을 가지는 축전기 부; 그리고 상기 기판 상에 형성되며, 상기 축전기 부와 연결되는 인덕터 부를 포함하되, 상기 축전기 부는 상기 외부 압력에 따라 유전율이 변화하는 압전 소자를 포함하고, 상기 축전기 부 및 상기 인덕터 부는 상기 축전 용량에 대응하는 공진 주파수를 가지는 공진 회로를 구성하며, 외부로부터의 무선 입력 신호에 응답하여 상기 공진 주파수에 대응하는 반사 신호를 출력하고, 상기 반사 신호는 상기 외부 압력에 관한 정보를 포함한다.
Int. CL A61B 3/16 (2006.01.01)
CPC A61B 3/16(2013.01) A61B 3/16(2013.01)
출원번호/일자 1020140169729 (2014.12.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0066102 (2016.06.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승언 대한민국 대전광역시 유성구
2 강승열 대한민국 대전 유성구
3 안성덕 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1166135-13
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048928-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0951501-72
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0951500-26
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0138009-55
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0663579-59
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1272350-28
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1272349-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
콘택트렌즈의 형태를 가지는 기판;상기 기판 상에 형성되며, 외부 압력에 따라 변화하는 축전 용량을 가지는 축전기 부; 그리고상기 기판 상에 형성되며, 상기 축전기 부와 연결되는 인덕터 부를 포함하되,상기 축전기 부는 상기 외부 압력에 따라 유전율이 변화하는 압전 소자를 포함하고,상기 축전기 부 및 상기 인덕터 부는 상기 축전 용량에 대응하는 공진 주파수를 가지는 공진 회로를 구성하며, 외부로부터의 무선 입력 신호에 응답하여 상기 공진 주파수에 대응하는 반사 신호를 출력하고,상기 반사 신호는 상기 외부 압력에 관한 정보를 포함하는 안압 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 축전기 부 및 상기 인덕터 부의 상부에 증착되는 보호막을 더 포함하는 안압 센서
3 3
제 2 항에 있어서,상기 기판 및 상기 보호막은 투명하고 유연하며 생체친화적인 물질로 포함하는 안압 센서
4 4
제 3 항에 있어서,상기 기판 및 상기 보호막은 polyimide(PI), polycarbonate(PC), polyethyleneterephtalate(PET), polyethersulfone(PES), silicone, polythylenenaphthalate(PEN), fiber reinforced plastic(FRP), PDMS, polyvinylidene-fluoride(PVDF) 중 하나로 형성되는 안압 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 축전기 부는 제 1 및 제 2 전극을 포함하고,상기 압전 소자는 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 형성되는 안압 센서
6 6
제 5 항에 있어서,상기 압전 소자는 단일 또는 복수의 층으로 형성되는 안압 센서
7 7
제 5 항에 있어서,상기 압전 소자는 ZnO, AlN, BaTiO3, (Ba,Sr)TiO3, PZT, PMN-PT, PZN-PT, SrBi2Ta2O9, PVDF, PVTF 중 적어도 하나를 포함하는 안압 센서
8 8
제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 인덕터 부와 병렬로 연결되는 안압 센서
9 9
제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극은 인터디지털(interdigital) 또는 메쉬(mesh) 형태로 형성되는 안압 센서
10 10
제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극은 투명하고 유연한 전도성 물질로 형성되는 안압 센서
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극은 indium tin oxide(ITO), SrRuO3, Nb-SrTiO3, carbon nanotube(CNT), graphene, PEDOT:PSS, Ag 또는 이들의 혼성체 중 하나로 형성되는 안압 센서
12 12
제 1 항에 있어서,상기 인덕터 부는 상기 축전기 부를 중심으로 상기 축전기 부의 주변에 형성되는 안압 센서
13 13
제 12 항에 있어서,상기 인덕터 부는 굴곡 형태 또는 톱니 형태로 형성되는 안압 센서
14 14
제 12 항에 있어서,상기 인덕터 부는 투명하고 유연한 전도성 물질로 형성되는 안압 센서
15 15
제 14 항에 있어서,상기 인덕터 부는 indium tin oxide(ITO), SrRuO3, Nb-SrTiO3, carbon nanotube(CNT), graphene, PEDOT:PSS, Ag 또는 이들의 혼성체 중 하나로 형성되는 안압 센서
16 16
제 1 항에 있어서,상기 축전기 부는 상기 인덕터 부와 병렬로 연결되어 상기 공진 회로를 구성하는 안압 센서
17 17
제 16 항에 있어서,상기 공진 회로는 상기 외부 압력에 따라 변화하는 상기 공진 주파수를 가지는 안압 센서
18 18
발신 신호를 생성하는 발신 신호 발생부;상기 발신 신호를 송출하는 안테나;상기 발신 신호에 응답하여 안압에 대응하는 공진 주파수를 가지는 반사 신호를 출력하는 안압 센서; 그리고상기 안테나를 통해 수신된 상기 반사 신호에 따라 상기 안압을 계산하는 정보 처리 모듈을 포함하되,상기 안압 센서는 콘택트렌즈의 형태를 가지는 기판, 상기 기판 상에 형성되며 상기 안압에 따라 변화하는 축전 용량을 가지는 축전기 부, 상기 기판 상에 형성되며 상기 축전기 부와 연결되어 상기 공진 주파수를 가지는 공진 회로를 구성하는 인덕터 부를 포함하고,상기 축전기 부는 상기 안압에 따라 유전율이 변화하는 압전 소자를 포함하는 안압 측정 시스템
19 19
제 18 항에 있어서,상기 발신 신호를 증폭하여 상기 안테나에 전송하는 발신 신호 증폭부;상기 반사 신호를 증폭하는 수신 신호 증폭부;상기 증폭된 반사 신호를 필터링하여 상기 정보 처리 모듈에 전송하는 수신 신호 필터부; 그리고상기 정보 처리 모듈로부터 상기 계산된 안압을 수신하여 표시하는 표시 장치를 더 포함하는 안압 측정 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 광역경제권거점기관지원사업 구동 변위10% 이상의 촉감과 3단계 이상의 질감 표현이 가능한 센싱과 구동 기능의 멀티터치센서 기초원천기술 개발