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입사광에 의해서 전자와 정공을 발생시키는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 이격되는 두 지점에 제공되고, 풍부한 캐리어에 의해서 낮은 저항을 가지는 적어도 한 쌍의 도전층; 및상기 적어도 한 쌍의 도전층에 각각 접촉되는 적어도 한 쌍의 전극이 포함되고,상기 전극은 경계선이 연속적으로 제공되는 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 한 쌍의 도전층 중의 적어도 하나는, 서로 마주보는 방향으로 상기 전극으로부터 더 연장되는 릿지부를 가져서, 상기 전극의 접촉부에서 저항을 낮추는 광전도 반도체 스위치
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제 2 항에 있어서, 상기 릿지부는 상기 한 쌍의 도전층에 모두 제공되는 광전도 반도체 스위치
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제 2 항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극사이의 거리는 상기 릿지부의 길이에 비하여 10~500배인 광전도 반도체 스위치
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제 2 항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극사이의 거리는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 상기 반도체 기판에 비하여 밴드갭이 더 큰 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 전극은 오믹접촉을 제공하는 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 GaAs기판인 광전도 반도체 스위치
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제 9 항에 있어서, 상기 도전층은, GaAs, InGaP, 및 AlGaAsP에서 선택되는 어느 물질이 사용되는 광전도 반도체 스위치
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제 10 항에 있어서, 상기 도전층이 GaAs인 경우에는 상기 도전층의 하측에 에치스탑층이 제공되고, 상기 에치스탑층은 AlAs 및 InP에서 선택되는 어느 물질이 사용되는 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상측에는 도핑되지 않은 버퍼층이 적층되는 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 적어도 한 쌍의 도전층은 상기 반도체 기판의 어느 일측에 함께 제공되는 광전도 반도체 스위치
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제 2 항에 있어서, 상기 적어도 한 쌍의 도전층은 상기 반도체 기판의 양면에 한 쌍씩 제공되고, 상기 전극은 상기 도전층의 상측에 각각 제공되는 광전도 반도체 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 광전도 반도체 스위치의 사용 시에, 상기 전극은, 상기 반도체 기판의 상측에 있는 어느 전극, 상기 반도체 기판의 하측에 있는 어느 전극이, 쌍으로 사용하는 광전도 반도체 스위치
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제 15 항에 있어서, 상기 전극은, 상기 반도체 기판의 상측에 적어도 두 개, 상기 반도체 기판의 하측에 적어도 두 개가 제공되고, 서로 거리가 먼 전극이 쌍으로 사용되는 광전도 반도체 스위치
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테라헤르츠를 포함하는 초고주파 대역에서 펄스형태의 광신호를 전기신호로 변환하는 광전도 반도체 스위치로서, 적어도 한 쌍의 서로 이격되는 전극의 하측에 전극의 모서리부위를 포함하여 그 바깥쪽으로 더 연장되는 도핑되는 적어도 한 쌍의 도전층을 가지고, 상기 적어도 한 쌍의 도전층에는, 상기 한 쌍의 도전층이 서로 마주보는 방향으로 상기 적어도 한 쌍의 전극에서 더 연장되는 릿지부를 가지고,상기 전극은 사각형으로서, 그 꼭지점은 둥글게 제공되는 광전도 반도체 스위치
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광자에 의해서 전자정공쌍을 발생시키는 반절연 반도체 기판 상에 도전층을 성장하는 것;상기 도전층에 한 쌍의 전극을 제공하는 것; 및상기 전극보다 큰 마스크를 활용하여 상기 한 쌍의 전극보다 더 큰 모양으로 릿지부를 가지도록 상기 도전층을 식각하는 것이 포함되고상기 전극은 사각형으로서, 그 꼭지점은 둥글게 제공되는 광전도 반도체 스위치의 제조방법
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제 19 항에 있어서, 상기 릿지부는 상기 한 쌍의 전극이 마주보는 방향으로 상기 전극에서 더 연장되는 광전도 반도체 스위치의 제조방법
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제 19 항에 있어서, 상기 도전층의 성장 전에, 버퍼층 및 에치스탑층을 성장하는 공정이 더 수행되는 광전도 반도체 스위치의 제조방법
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제 21 항에 있어서, 상기 에치스탑층과 상기 도전층을 위한, 식각용액 또는 식각화학물질은 서로 다른 광전도 반도체 스위치의 제조방법
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제 19 항에 있어서, 상기 도전층을 식각한 다음에, 보호막을 형성하고, 상기 한 쌍의 전극을 노출시키는 공정이 포함되는 광전도 반도체 스위치의 제조방법
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