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제1항에 있어서,상기 사파이어에 열을 인가하는 단계 전에, 상기 사파이어의 표면에 금속 산화물 분말을 밀착시키는 단계를 포함하는 사파이어 품질향상 방법
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제2항에 있어서,상기 금속 산화물 분말을 적용하는 단계는, 상기 금속 산화물 분말이 상기 사파이어 표면에 밀착되도록 1KPa이상의 압력을 적용하는 단계를 포함하는 사파이어 품질향상 방법
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제2항에 있어서,상기 금속 산화물 분말은 MgO 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 사파이어 품질향상 방법
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제2항에 있어서,상기 사파이어는 불순물로서 TiO2를 함유하는 것을 특징으로 하는 사파이어 품질향상 방법
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제1항에 있어서,상기 사파이어에 열을 인가하는 단계는 1Mpa 이상의 압력 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 사파이어 품질향상 방법
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제6항에 있어서,상기 사파이어에 열을 인가하는 단계는 3분 내지 1시간 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 사파이어 품질향상 방법
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제6항에 있어서,상기 압력 조건은 큐빅 프레스(cubic press) 공정에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 사파이어 품질향상 방법
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제9항에 있어서,상기 커런덤 광물에 열을 인가하는 단계는 1Mpa 이상의 압력 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 커런덤 광물의 품질향상방법
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