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반도체 장치(SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016011389
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 장치는 로컬 버퍼를 각각 포함하는 다수의 메모리 컨트롤러; 다수의 메모리 컨트롤러와 연결되며 다수의 메모리 컨트롤러 각각에 할당된 영역을 포함하는 글로벌 버퍼; 및 글로벌 버퍼의 할당된 영역의 크기를 제어하는 글로벌 버퍼 제어부를 포함한다
Int. CL G06F 12/02 (2018.01.01) G06F 12/08 (2016.01.01)
CPC G06F 12/02(2013.01) G06F 12/02(2013.01) G06F 12/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140170641 (2014.12.02)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2130578-0000 (2020.06.30)
공개번호/일자 10-2016-0066362 (2016.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20200706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 종로구
2 박기현 대한민국 서울특별시 서대문구
3 우수해 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-1173180-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1159654-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0046735-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0258237-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0258218-57
7 등록결정서
Decision to grant
2020.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0422170-59
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번호 청구항
1 1
각각 대응하는 셀 파티션에 대한 읽기 쓰기 동작을 제어하며 로컬 버퍼를 포함하는 다수의 메모리 컨트롤러;상기 다수의 메모리 컨트롤러와 연결되며 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각에 할당된 영역을 포함하는 글로벌 버퍼; 및상기 글로벌 버퍼의 할당된 영역의 크기를 제어하는 글로벌 버퍼 제어부를 포함하되,상기 로컬 버퍼는 대응하는 메모리 컨트롤러의 제어에 따라 대응하는 셀 파티션에서 프리페치된 데이터 또는 대응하는 메모리 컨트롤러의 제어에 따라 대응하는 셀 파티션에 기록할 쓰기 데이터를 저장하고,상기 글로벌 버퍼에서 어느 한 메모리 컨트롤러에 할당된 영역은 상기 어느 한 메모리 컨트롤러에 포함된 로컬 버퍼의 저장 공간을 확장하는 반도체 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 글로벌 버퍼 제어부는 상기 다수의 메모리 컨트롤러 중 제 1 메모리 컨트롤러가 상기 글로벌 버퍼의 상기 제 1 메모리 컨트롤러에 할당된 영역을 설정된 임계점을 초과하여 사용하는 경우 상기 다수의 메모리 컨트롤러 중 상기 글로벌 버퍼의 할당된 영역에 여유 공간을 갖는 제 2 메모리 컨트롤러를 선택하여 상기 여유 공간의 일부를 상기 제 1 메모리 컨트롤러에 재할당하는 반도체 장치
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 메모리 컨트롤러의 상기 글로벌 버퍼에 대한 할당량에 대한 정보를 저장하는 레지스터를 더 포함하는 반도체 장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각은 외부에서 제공된 읽기 요청으로부터 프리페치 요청을 생성하는 프리페치 제어부를 더 포함하되, 상기 프리페치 제어부는 상기 프리페치 요청에 대응하는 주소 및 데이터를 상기 로컬 버퍼에 저장하는 반도체 장치
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각은 외부에서 제공된 쓰기 요청에 대응하는 주소 및 데이터를 상기 로컬 버퍼에 저장하는 쓰기 버퍼 제어부를 더 포함하는 반도체 장치
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 로컬 버퍼는 프리페치 버퍼 영역과 쓰기 버퍼 영역을 포함하고, 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각은 외부에서 제공된 읽기 요청으로부터 프리페치 요청을 생성하는 프리페치 제어부를 더 포함하고 상기 프리페치 제어부는 상기 프리페치 버퍼 영역에 상기 프리페치 요청에 대응하는 주소 및 데이터를 저장하고, 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각은 외부에서 제공된 쓰기 요청에 대응하는 주소 및 데이터를 상기 쓰기 버퍼 영역에 저장하는 쓰기 버퍼 제어부를 더 포함하는 반도체 장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 프리페치 제어부는 상기 프리페치 버퍼 영역과 상기 쓰기 버퍼 영역의 비율을 동적으로 조정하는 반도체 장치
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 프리페치 제어부는 프리페치 히트율에 따라 상기 프리페치 버퍼 영역의 크기를 동적으로 증감하는 반도체 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 프리페치 제어부는 상기 프리페치 히트율이 감소하는 경우 상기 프리페치 버퍼 영역의 크기를 감소시키는 반도체 장치
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 메모리 컨트롤러 각각은 외부에서 제공된 읽기 및 쓰기 요청을 저장하는 요청 큐 및 상기 요청 큐에 저장된 요청들 중 처리할 요청을 선택하는 스케줄러를 더 포함하는 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10157152 US 미국 FAMILY
2 US20160154750 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10157152 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016154750 US 미국 DOCDBFAMILY
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