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고휘도 극초단 빔 발생 펨토초 레이저 장치(Ultrashort Femtosecond Laser Apparatus For High-Brightness beam)

  • 기술번호 : KST2016011449
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축, 상기 제 1 레이저 매질의 Np 축에 실질적으로 평행한 Nm축, 상기 제 1 레이저 매질의 Nm축에 실질적으로 평행한 Ng축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하고, 상기 제 1 레이저 매질은, Np축에 평행한 높이(H)가 Nm축에 평행한 폭(W)보다 크거나 작고, 상기 제 2 레이저 매질은, Nm축에 평행한 높이(H)가 Ng축에 평행한 폭(W)보다 작거나 큰 형상을 갖도록 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향에 대해 서로 나란히 배치되는 펨토초 레이저 장치를 제공한다.
Int. CL H01S 3/102 (2006.01.01)
CPC H01S 3/102(2013.01) H01S 3/102(2013.01) H01S 3/102(2013.01)
출원번호/일자 1020140170885 (2014.12.02)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0066682 (2016.06.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.19)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광훈 대한민국 부산광역시 수영구
2 강욱 대한민국 서울시 강서구
3 양주희 대한민국 서울시 은평구
4 이병학 대한민국 서울특별시 서초구
5 살 엘레나 러시아 경상남도 창원시 성산구
6 세르게이 치조프 러시아 경상남도 창원시 성산구
7 야쉰 블라디미르 러시아 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-1174220-28
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-1182687-68
3 보정요구서
Request for Amendment
2014.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0231181-76
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1228317-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1151860-80
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1186034-41
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0139888-28
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0658121-45
11 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.11.16 보정 (Amendment) 1-1-2020-1224627-11
12 보정요구서
Request for Amendment
2020.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0176190-59
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번호 청구항
1 1
공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축, 상기 제 1 레이저 매질의 Np 축에 실질적으로 평행한 Nm축, 상기 제 1 레이저 매질의 Nm축에 실질적으로 평행한 Ng축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하는 펨토초 레이저 장치에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, Np축에 평행한 높이(H)가 Nm축에 평행한 폭(W)보다 크거나 작고, 상기 제 2 레이저 매질은, Nm축에 평행한 높이(H)가 Ng축에 평행한 폭(W)보다 작거나 큰 형상을 갖도록 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향에 대해 서로 나란히 배치되는 펨토초 레이저 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되고, 상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Np축에 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 편광방향(Elaser)이 상기 제 1 레이저 매질의 Np축에 실질적으로 평행하도록 배치되고, 상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 편광방향(Elaser)이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 다이오드로부터 발생된 제 1 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 1 레이저 결정의 Nm 축에 대해 실질적으로 평행하도록 하고,상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 다이오드로부터 발생된 제 2 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 대해 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 소정의 표면 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
6 6
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 표면이 열전도성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 냉각유로, 방열판, 공냉을 위한 수단 중 적어도 어느 하나가 형성된 하우징에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 매질은 각각 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
9 9
제 8항에 있어서,상기 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 Yb의 도핑 농도는 1 ~ 10 at
10 10
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 각각 상기 레이저 빔의 진행방향에 대하여 직사각형 단면을 갖는 직사각면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
11 11
공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Ng축, 상기 제 1 레이저 매질의 Np 축에 실질적으로 평행한 Nm축, 상기 제 1 레이저 매질의 Nm축에 실질적으로 평행한 Np축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하는 펨토초 레이저 장치에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, Np축에 평행한 높이(H)가 Nm축에 평행한 폭(W)보다 작거나 크고, 상기 제 2 레이저 매질은, Nm축에 평행한 높이(H)가 Np축에 평행한 폭(W)보다 크거나 작은 형상을 갖도록 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향에 대해 서로 나란히 배치되는 펨토초 레이저 장치
12 12
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되고, 상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
13 13
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 편광방향(Elaser)이 상기 제 1 레이저 매질의 Np축에 실질적으로 평행하도록 배치되고, 상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 편광방향(Elaser)이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
14 14
제 11항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 다이오드로부터 발생된 제 1 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 1 레이저 결정의 Nm 축에 대해 실질적으로 평행하도록 하고,상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 다이오드로부터 발생된 제 2 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 대해 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
15 15
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 소정의 표면 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
16 16
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 표면이 열전도성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
17 17
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 냉각유로, 방열판, 공냉을 위한 수단 중 적어도 어느 하나가 형성된 하우징에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
18 18
제 11항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 매질은 각각 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
19 19
제 18항에 있어서,상기 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 Yb의 도핑 농도는 1 ~ 10 at
20 20
제 11항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 각각 상기 레이저 빔의 진행방향에 대하여 직사각형 단면을 갖는 직사각면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
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