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양극, 음극, 발광층 및 전하 생성층을 포함하는 발광 소자로서, 상기 양극 또는 상기 음극 상에 형성되는 전하 생성층은 용액공정에 의해 유기 반도체로 이루어진 p형 층 및 산화물 반도체로 이루어진 n형 층이 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로 형성되며, 상기 유기 반도체는 PEDOT:PSS 또는 상기 PEDOT:PSS에 첨가물이고, 상기 산화물 반도체는 산화아연(ZnO) 또는 상기 산화아연에 Al, Li, Cs, Ca 및 Mg 중 적어도 하나가 도핑된 물질이고, 상기 p형 층 및 상기 n형 층의 두께 비는 1:0
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제1항에 있어서, 상기 첨가물은 텅스텐 옥사이드, 그라핀 옥사이드(GO), CNT, 몰리브덴 옥사이드(MoO), 바냐듐 옥사이드(V2O5) 및 니켈 옥사이드(NiO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 첨가물은 상기 PEDOT:PSS에 5 내지 50 부피 퍼센트로 혼합되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 산화아연에 도핑되는 물질의 함량은 상기 산화아연 대비 0
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제1항에 있어서,상기 발광층은 저분자 유기 물질인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 발광층은 양자점을 갖는 무기 물질인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에, 용액공정에 의해 n형 층과 p형 층이 순차적으로 레이어-바이-레이어 구조로 이루어진 전하 생성층을 형성하는 단계; 상기 전하 생성층 상에 저분자 유기 물질로 이루어진 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 주입·수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 주입·수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 n형 층은 산화물 반도체로 이루어지며, 상기 p형 층은 유기반도체로 이루어지되, 상기 유기 반도체는 PEDOT:PSS 또는 상기 PEDOT:PSS에 첨가물이고, 상기 산화물 반도체는 산화아연(ZnO) 또는 상기 산화아연에 Al, Li, Cs, Ca 및 Mg 중 적어도 하나가 도핑되고, 상기 p형 층 및 상기 n형 층의 두께 비는 1:0
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제10항에 있어서, 상기 첨가물은 텅스텐 옥사이드, 그라핀 옥사이드(GO), CNT, 몰리브덴 옥사이드(MoO), 바냐듐 옥사이드(V2O5) 및 니켈 옥사이드(NiO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
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기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에, 용액공정에 의해 p형 층과 n형 층이 순차적으로 레이어-바이-레이어 구조로 이루어진 전하 생성층을 형성하는 단계; 상기 전하 생성층 상에 양자점을 갖는 무기 물질로 이루어진 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공 수송층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 p형 층은 유기반도체로 이루어지며, 상기 n형 층은 산화물 반도체로 이루어지고, 상기 유기 반도체는 PEDOT:PSS 또는 상기 PEDOT:PSS에 첨가물을 혼합한 것이고, 상기 산화물 반도체는 산화아연(ZnO) 또는 상기 산화아연에 Al, Li, Cs, Ca 및 Mg 중 적어도 하나가 도핑되고, 상기 p형 층 및 상기 n형 층의 두께 비는 1:0
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