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Zn4Sb3계 열전 소자 재료용 원료를 제공하는 단계;상기 Zn4Sb3계 열전 소자 재료용 원료로 가스 아토마이제이션을 이용하여 급속 응고하여 면적 평균 입자 크기가 10㎛ 내지 15 ㎛의 범위, 체적 평균 입자 크기가 40㎛ 내지 45 ㎛ 의 범위를 가지는 Zn4Sb3계 분말을 형성하는 단계; 및상기 Zn4Sb3계 분말을 성형하여 스파크 플라즈마 소결법을 이용하여 Zn4Sb3계 열전 소자 재료를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 Zn4Sb3계 열전 소자 재료용 원료를 제공하는 단계는, Zn4Sb3의 화학양론비 조성 보다 Zn을 10at% 내지 15at% 과잉으로 첨가하고, 상기 Zn4Sb3계 분말을 형성하는 단계는, 적어도 500℃의 용탕 온도, 2 ㎜ 내지 10 ㎜의 노즐 내경, 1 MPa 내지 2 MPa의 분사 가스 압력으로 급속 응고하는, Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Zn4Sb3계 열전 소자 분말의 내부 미세 구조는 라멜라(lamellar) 구조를 나타내는, Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Zn4Sb3계 열전 소자 분말은 ε-Zn4Sb3 상 및 β-ZnSb 상이 혼합된 물질인, Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 스파크 플라즈마 소결은, 700 K 내지 750 K 온도에서 15 ㎜ 내지 25 ㎜의 노즐 내경, 40 MPa 내지 60 MPa의 분사 가스 압력으로 5 내지15분 동안 수행되는, Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항, 제 4 항, 제 6 항 및 제 8 항 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성하고, 상기 Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 비커스 압입 시 균열 특성은 비커스 누름자의 4개의 코너 및 둘레에서 경도 압입흔을 나타내는, Zn4Sb3계 열전 소자 재료
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제 9 항에 있어서,상기 Zn4Sb3계 열전 소자 재료는 ε-Zn4Sb3의 다수 상 및 Zn의 소수 상이 혼합된 물질인, Zn4Sb3계 열전 소자 재료
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제 9 항에 있어서, 상기 Zn4Sb3계 열전 소자 재료의 비커스 압입 시 균열 길이는 38 ㎛ 내지 42 ㎛범위를 가지는, Zn4Sb3계 열전 소자 재료
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상부 절연 기판;상기 상부 절연 기판에 대향하여 위치하는 하부 절연 기판;상기 상부 절연 기판에 패턴화되어 위치한 상부 전극;상기 하부 절연 기판에 패턴화되어 위치한 하부 전극;상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 상호 접촉하여 위치한 p형 열전 소자; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 상호 접촉하여 위치하고 상기 p형 열전 소자와 교번하여 위치하는 n형 열전 소자; 를 포함하고,상기 p형 열전 소자, 상기 n형 열전 소자 또는 이들 모두는 제 9 항의 열전 소자 재료를 포함하는, Zn4Sb3계 열전 소자 장치
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