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n형 탄화규소 기판에 리세스 게이트 구조 접합전계효과 트랜지스터를 제작하기 위하여,1) n+ 소오스 영역 및 메사 구조를 형성하는 제 1단계;2) p형 게이트를 형성하기 위한 (알루미늄과 베릴륨) 또는 (알루미늄과 베릴륨 및 붕소)를 함께 이온주입하여 p형 도판트 이온주입을 실시하는 것을 특징으로는 제 2단계;3) 도판트 활성화 및 확산, 격자손상 제거를 위한 열처리를 실시하는 제 3단계;4) 전극형성을 위한 금속화 공정 및 패시베이션 공정을 포함하는 일련의 제작과정을 거쳐 트랜지스터 제작을 완료하는 제 4단계;를 포함하여 이루어지는 이상과 같은 단계 중에서, 제 2단계에 알루미늄과 붕소를 함께 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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n형 탄화규소 기판에 리세스 게이트 구조 접합전계효과 트랜지스터를 제작하기 위하여,1) n+ 소오스 영역 및 메사 구조를 형성하는 제 1단계;2) p형 게이트를 형성하기 위한 p형 도판트 이온주입을 진행함에 있어, 기판에 대해 수직방향으로 p형 도판트를 이온주입하는 제 2-1단계와, 기판에 대해 일정한 각도만큼 기울여 p형 도판트를 이온주입하여 메사 측면에 p형 영역이 생성되도록 하는 제 2-2단계로 이루어지는 제 2단계;3) 도판트 활성화 및 확산, 격자손상 제거를 위한 열처리를 실시하는 제 3단계;4) 전극형성을 위한 금속화 공정 및 패시베이션 공정을 포함하는 일련의 제작과정을 거쳐 트랜지스터 제작을 완료하는 제 4단계;를 포함하여 이루어지는 이상과 같은 단계 중에서, 제 2단계에 알루미늄과 붕소를 함께 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 2-1단계는,(알루미늄과 붕소), (알루미늄과 베릴륨) 및 (알루미늄, 붕소 및 베릴륨) 중 어느 하나를 선택하여 함께 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 제 2-2단계는, 알루미늄, 붕소 및 베릴륨 중에 두 가지 이상을 선택하여 함께 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 2-1단계와 제 2-2단계의 순서를 바꾸어 진행하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 2-2단계에서, 이온주입 각도를 10~45o 범위 중의 어느 하나의 각도를 선택하여 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 2-2단계에서, 메사 양 측면에 모두 p형 영역을 형성하기 위하여, 이온주입 각도를 -10~-45o 및 10~45o 범위 중의 어느 하나의 각도를 선택하여 적어도 2회 이상 이온주입하거나, 또는 10~45o 범위 중의 어느 하나의 각도를 선택하여 탄화규소 기판을 회전시키면서 이온주입하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 접합전계효과 트랜지스터의 제작방법
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